Рассмотрена система, состоящая из двух полубесконечных проводящих слоев, разделенных тонкой шероховатой диэлектрической прослойкой, через которую могут туннелировать электроны проводимости. Предложена простая модель для расчета коэффициентов зеркального отражения и пропускания электронов через прослойку. Указанные величины зависят от угла падения электрона, величины его квазиимпульса и статистических характеристик шероховатости интерфейса. Общие формулы конкретизированы для трех моделей корреляционной функции шероховатости (дельтаобразной, гауссовской и полиномиально-гауссовской) и проиллюстрированы численными расчетами. Развитая модель может применяться для описания широкого класса кинетических явлений в квазидвумерных слоистых структурах. Библиогр. 11 назв. Ил. 5.

A system consisting of two conducting half-spaces separated by a rough thin dielectric layer through which the tunneling of conduction electrons takes place is considered. A simple model for calculating specular reflectance and transmittance of