Условия достижения максимальных значений коэффициента термоэлектрической мощности в интерметаллических полупроводниках структурного типа MgAgAs. / Ромака, В.А.; Фрушарт, Д.; Стаднык, Ю.В.; Тобола, Я.; Гореленко, Ю.К.; Шеляпина, М.Г.; Ромака, Л.П.; Чекурин, В.Ф.
In: ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ, Vol. 40, No. 1, 2006, p. 1309-1315.Research output: Contribution to journal › Article › peer-review
}
TY - JOUR
T1 - Условия достижения максимальных значений коэффициента термоэлектрической мощности в интерметаллических полупроводниках структурного типа MgAgAs
AU - Ромака, В.А.
AU - Фрушарт, Д.
AU - Стаднык, Ю.В.
AU - Тобола, Я.
AU - Гореленко, Ю.К.
AU - Шеляпина, М.Г.
AU - Ромака, Л.П.
AU - Чекурин, В.Ф.
PY - 2006
Y1 - 2006
N2 - Условием достижения максимальных значений коэффициента термоэлектрической мощности Z* в интерметаллических полупроводниках структурного типа MgAgAs является их сильное легирование акцепторными и (или) донорными примесями до концентраций, при которых уровень Ферми фиксируется порогом подвижности соответствующей зоны непрерывных энергий. Максимум коэффициента термоэлектрической мощности является термически стабильным при условии одинаковой природы типа примесей, вводимых в полупроводник, и типа примесной зоны, вызывающей появление максимума Z*.
AB - Условием достижения максимальных значений коэффициента термоэлектрической мощности Z* в интерметаллических полупроводниках структурного типа MgAgAs является их сильное легирование акцепторными и (или) донорными примесями до концентраций, при которых уровень Ферми фиксируется порогом подвижности соответствующей зоны непрерывных энергий. Максимум коэффициента термоэлектрической мощности является термически стабильным при условии одинаковой природы типа примесей, вводимых в полупроводник, и типа примесной зоны, вызывающей появление максимума Z*.
M3 - статья
VL - 40
SP - 1309
EP - 1315
JO - ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ
JF - ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ
SN - 0015-3222
IS - 1
ER -
ID: 5081455