• В.А. Ромака
  • Д. Фрушарт
  • Ю.В. Стаднык
  • Я. Тобола
  • Ю.К. Гореленко
  • М.Г. Шеляпина
  • Л.П. Ромака
  • В.Ф. Чекурин
Условием достижения максимальных значений коэффициента термоэлектрической мощности Z* в интерметаллических полупроводниках структурного типа MgAgAs является их сильное легирование акцепторными и (или) донорными примесями до концентраций, при которых уровень Ферми фиксируется порогом подвижности соответствующей зоны непрерывных энергий. Максимум коэффициента термоэлектрической мощности является термически стабильным при условии одинаковой природы типа примесей, вводимых в полупроводник, и типа примесной зоны, вызывающей появление максимума Z*.
Original languageRussian
Pages (from-to)1309-1315
JournalФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ
Volume40
Issue number1
StatePublished - 2006
Externally publishedYes

ID: 5081455