Определена роль примесной донорной зоны в проводимости сильно легированного и компенсированного интерметаллического полупроводника TiCoSb. Произведен расчет электронной структуры полупроводникового твердого раствора TiCo1-xNixSb. Предложена модель перестройки примесной зоны полупроводника TiCoSb при легировании донорными примесями. Выявлен переход проводимости от активационной к металлической при изменении состава твердого раствора TiCo1-xNixSb, который мы связываем с переходом Андерсона.
