TY - JOUR

T1 - Направление диффузионного потока галлия при осаждении на поверхность с регулярными массивами отверстий

AU - Дубровский, Владимир Германович

PY - 2021

Y1 - 2021

N2 - Self-catalyzed growth of GaAs and GaP nanowires by molecular beam epitaxy is often performed on processed SiOx/Si(111) substrates with regular arrays of lithographically defined holes. Ga droplets form in the holes during Ga pre-deposition step in the absence of As supply. It was considered evident that the Ga diffusion flux in such a process is directed from the oxide surface into the holes. Here, we show that it is not always true and that the diffusion flux can change its direction depending on the growth conditions. Our model can be useful for modeling the incubation and growth times of group III droplets within the holes and explains long nucleation delays of the droplets. Автокаталитический рост нитевидных нанокристаллов GaAs и GaP часто осуществляется на поверхностях SiO x /Si(111) с массивами литографически подготовленных отверстий. Капли Ga создаются в процессе предварительного осаждения в отсутствие потока As. Ранее считалось, что диффузионный поток Ga направлен с поверхности маски в отверстия. Нами показано, что направление диффузионного потока может быть различным в зависимости от параметров роста. Модель применима для описания времен инкубации капель и позволяет объяснить длительную задержку нуклеации капель и нитевидных нанокристаллов. Ключевые слова: поверхностная диффузия, массивы отверстий, оксидный слой кремния, капли галлия.

AB - Self-catalyzed growth of GaAs and GaP nanowires by molecular beam epitaxy is often performed on processed SiOx/Si(111) substrates with regular arrays of lithographically defined holes. Ga droplets form in the holes during Ga pre-deposition step in the absence of As supply. It was considered evident that the Ga diffusion flux in such a process is directed from the oxide surface into the holes. Here, we show that it is not always true and that the diffusion flux can change its direction depending on the growth conditions. Our model can be useful for modeling the incubation and growth times of group III droplets within the holes and explains long nucleation delays of the droplets. Автокаталитический рост нитевидных нанокристаллов GaAs и GaP часто осуществляется на поверхностях SiO x /Si(111) с массивами литографически подготовленных отверстий. Капли Ga создаются в процессе предварительного осаждения в отсутствие потока As. Ранее считалось, что диффузионный поток Ga направлен с поверхности маски в отверстия. Нами показано, что направление диффузионного потока может быть различным в зависимости от параметров роста. Модель применима для описания времен инкубации капель и позволяет объяснить длительную задержку нуклеации капель и нитевидных нанокристаллов. Ключевые слова: поверхностная диффузия, массивы отверстий, оксидный слой кремния, капли галлия.

UR - https://www.mendeley.com/catalogue/b2760c65-1799-3906-b47a-745be464a294/

U2 - 10.21883/PJTF.2021.12.51063.18765

DO - 10.21883/PJTF.2021.12.51063.18765

M3 - статья

VL - 47

SP - 27

EP - 30

JO - ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ"

JF - ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ"

SN - 0320-0116

IS - 12

ER -