Standard

Изучение зонной структуры полупроводников в непрерывном спектре теплового излучения. / Лисаченко, Дмитрий Андреевич; Букина, Мария Николаевна.

In: ФИЗИКА В ШКОЛЕ, No. 1, 01.2020, p. 48-53.

Research output: Contribution to journalArticlepeer-review

Harvard

APA

Vancouver

Author

BibTeX

@article{dc9a4fcc5602416f9733ee5f905092ab,
title = "Изучение зонной структуры полупроводников в непрерывном спектре теплового излучения",
abstract = "Свойства полупроводникового фотоэлемента можно исследовать, используя не монохроматическое излучение, а широкий спектр теплового излучения лампы накаливания. Регулируя ток накала, можно снять зависимость фототока от изменения спектра лампы при нагреве и после несложной математической обработки выявить пороговый характер фотоэффекта и оценить ширину запрещённой зоны. Работа выполняется на самом простом оборудовании и доступна школам с любым уровнем материального обеспечения",
keywords = "Фотоэлемент, запрещённая зона, тепловое излучение, сплошной спектр, лабораторная работа, PHOTOVOLTAIC CELL, Band gap, HEAT RADIATION, Continuous spectrum, LABORATORY WORK",
author = "Лисаченко, {Дмитрий Андреевич} and Букина, {Мария Николаевна}",
year = "2020",
month = jan,
language = "русский",
pages = "48--53",
journal = "ФИЗИКА В ШКОЛЕ",
issn = "0130-5522",
publisher = "Школьная Пресса",
number = "1",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - Изучение зонной структуры полупроводников в непрерывном спектре теплового излучения

AU - Лисаченко, Дмитрий Андреевич

AU - Букина, Мария Николаевна

PY - 2020/1

Y1 - 2020/1

N2 - Свойства полупроводникового фотоэлемента можно исследовать, используя не монохроматическое излучение, а широкий спектр теплового излучения лампы накаливания. Регулируя ток накала, можно снять зависимость фототока от изменения спектра лампы при нагреве и после несложной математической обработки выявить пороговый характер фотоэффекта и оценить ширину запрещённой зоны. Работа выполняется на самом простом оборудовании и доступна школам с любым уровнем материального обеспечения

AB - Свойства полупроводникового фотоэлемента можно исследовать, используя не монохроматическое излучение, а широкий спектр теплового излучения лампы накаливания. Регулируя ток накала, можно снять зависимость фототока от изменения спектра лампы при нагреве и после несложной математической обработки выявить пороговый характер фотоэффекта и оценить ширину запрещённой зоны. Работа выполняется на самом простом оборудовании и доступна школам с любым уровнем материального обеспечения

KW - Фотоэлемент

KW - запрещённая зона

KW - тепловое излучение

KW - сплошной спектр

KW - лабораторная работа

KW - PHOTOVOLTAIC CELL

KW - Band gap

KW - HEAT RADIATION

KW - Continuous spectrum

KW - LABORATORY WORK

UR - https://www.elibrary.ru/item.asp?id=42602143

M3 - статья

SP - 48

EP - 53

JO - ФИЗИКА В ШКОЛЕ

JF - ФИЗИКА В ШКОЛЕ

SN - 0130-5522

IS - 1

ER -

ID: 52386562