Standard

СТРУКТУРА И ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ ТОНКИХ ПЛЕНОК НИТРИДА АЛЮМИНИЯ НА КРЕМНИИ. / Базлов, Николай Владимирович; Вывенко, Олег Федорович; Ниязова, Нелли; Котина, Ирина; Трушин, Максим; Бондаренко, Антон.

In: КРИСТАЛЛОГРАФИЯ, Vol. 69, No. 1, 2024, p. 91-98.

Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

Harvard

Базлов, НВ, Вывенко, ОФ, Ниязова, Н, Котина, И, Трушин, М & Бондаренко, А 2024, 'СТРУКТУРА И ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ ТОНКИХ ПЛЕНОК НИТРИДА АЛЮМИНИЯ НА КРЕМНИИ', КРИСТАЛЛОГРАФИЯ, vol. 69, no. 1, pp. 91-98. https://doi.org/10.31857/S0023476124010136

APA

Базлов, Н. В., Вывенко, О. Ф., Ниязова, Н., Котина, И., Трушин, М., & Бондаренко, А. (2024). СТРУКТУРА И ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ ТОНКИХ ПЛЕНОК НИТРИДА АЛЮМИНИЯ НА КРЕМНИИ. КРИСТАЛЛОГРАФИЯ, 69(1), 91-98. https://doi.org/10.31857/S0023476124010136

Vancouver

Базлов НВ, Вывенко ОФ, Ниязова Н, Котина И, Трушин М, Бондаренко А. СТРУКТУРА И ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ ТОНКИХ ПЛЕНОК НИТРИДА АЛЮМИНИЯ НА КРЕМНИИ. КРИСТАЛЛОГРАФИЯ. 2024;69(1):91-98. https://doi.org/10.31857/S0023476124010136

Author

Базлов, Николай Владимирович ; Вывенко, Олег Федорович ; Ниязова, Нелли ; Котина, Ирина ; Трушин, Максим ; Бондаренко, Антон. / СТРУКТУРА И ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ ТОНКИХ ПЛЕНОК НИТРИДА АЛЮМИНИЯ НА КРЕМНИИ. In: КРИСТАЛЛОГРАФИЯ. 2024 ; Vol. 69, No. 1. pp. 91-98.

BibTeX

@article{119a60592443490b85d92ab0667f41f0,
title = "СТРУКТУРА И ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ ТОНКИХ ПЛЕНОК НИТРИДА АЛЮМИНИЯ НА КРЕМНИИ",
abstract = "Пленки нитрида алюминия синтезированы с помощью метода реактивного магнетронного напыления на кремниевых подложках n-Si (100). Слои AlN толщиной от 2 до 150 нм получены с целью установления корреляции между строением пленок и их электропроводностью. С помощью электронной микроскопии установлено, что по мере удаления от поверхности подложки аморфное строение пленки переходило к нанокристаллическому. Пленки с толщинами до 20 нм имели высокую проводимость до 10 (Ом·см)–1, при увеличении толщины проводимость резко падала до 10–7 (Ом·см)–1. Предполагается, что высокая проводимость тонких слоев AlN обусловлена высокой плотностью границ зерен, встроенных в аморфную матрицу",
author = "Базлов, {Николай Владимирович} and Вывенко, {Олег Федорович} and Нелли Ниязова and Ирина Котина and Максим Трушин and Антон Бондаренко",
year = "2024",
doi = "10.31857/S0023476124010136",
language = "русский",
volume = "69",
pages = "91--98",
journal = "КРИСТАЛЛОГРАФИЯ",
issn = "0023-4761",
publisher = "Издательство {"}Наука{"}",
number = "1",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - СТРУКТУРА И ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ ТОНКИХ ПЛЕНОК НИТРИДА АЛЮМИНИЯ НА КРЕМНИИ

AU - Базлов, Николай Владимирович

AU - Вывенко, Олег Федорович

AU - Ниязова, Нелли

AU - Котина, Ирина

AU - Трушин, Максим

AU - Бондаренко, Антон

PY - 2024

Y1 - 2024

N2 - Пленки нитрида алюминия синтезированы с помощью метода реактивного магнетронного напыления на кремниевых подложках n-Si (100). Слои AlN толщиной от 2 до 150 нм получены с целью установления корреляции между строением пленок и их электропроводностью. С помощью электронной микроскопии установлено, что по мере удаления от поверхности подложки аморфное строение пленки переходило к нанокристаллическому. Пленки с толщинами до 20 нм имели высокую проводимость до 10 (Ом·см)–1, при увеличении толщины проводимость резко падала до 10–7 (Ом·см)–1. Предполагается, что высокая проводимость тонких слоев AlN обусловлена высокой плотностью границ зерен, встроенных в аморфную матрицу

AB - Пленки нитрида алюминия синтезированы с помощью метода реактивного магнетронного напыления на кремниевых подложках n-Si (100). Слои AlN толщиной от 2 до 150 нм получены с целью установления корреляции между строением пленок и их электропроводностью. С помощью электронной микроскопии установлено, что по мере удаления от поверхности подложки аморфное строение пленки переходило к нанокристаллическому. Пленки с толщинами до 20 нм имели высокую проводимость до 10 (Ом·см)–1, при увеличении толщины проводимость резко падала до 10–7 (Ом·см)–1. Предполагается, что высокая проводимость тонких слоев AlN обусловлена высокой плотностью границ зерен, встроенных в аморфную матрицу

UR - http://elibrary.ru/svbvme

U2 - 10.31857/S0023476124010136

DO - 10.31857/S0023476124010136

M3 - статья

VL - 69

SP - 91

EP - 98

JO - КРИСТАЛЛОГРАФИЯ

JF - КРИСТАЛЛОГРАФИЯ

SN - 0023-4761

IS - 1

ER -

ID: 132389911