Экспериментально и теоретически исследовано резонансное рассеяние монохроматического света квантовой ямой, в которой частота экситонного резонанса меняется вдоль некоторого направления в плоскости ямы. Показано, что простейшая модель неоднородного тонкого слоя, допускающая точное решение прямой и обратной задач рассеяния, позволяет успешно описать эксперимент по наблюдению резонансного рассеяния от квантовой ямы GaAs/AlGaAs, в которой частота экситонного резонанса линейно меняется в плоскости ямы.