Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование
The semiconductor-metal transition in Ge-Te melts is treated as a diffuse first-order transition. The melt properties are found to change sharply in the range 3-5 at. % Ge.
| Язык оригинала | английский |
|---|---|
| Страницы (с-по) | 574-576 |
| Число страниц | 3 |
| Журнал | Inorganic Materials |
| Том | 35 |
| Номер выпуска | 6 |
| Состояние | Опубликовано - 1 дек 1999 |
ID: 43155859