Standard

NEXAFS и XPS исследования пористого кремния. / Некипелов, С. В.; Ломов, А. А.; Мингалева, Алёна Егоровна; Петрова, О. В.; Сивков, Данил Викторович; Шомысов, Н. Н.; Шустова, Е. Н.; Сивков, В. Н.

в: ИЗВЕСТИЯ КОМИ НАУЧНОГО ЦЕНТРА УРО РАН, № 3 (35), 01.01.2018, стр. 19-22.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Harvard

Некипелов, СВ, Ломов, АА, Мингалева, АЕ, Петрова, ОВ, Сивков, ДВ, Шомысов, НН, Шустова, ЕН & Сивков, ВН 2018, 'NEXAFS и XPS исследования пористого кремния', ИЗВЕСТИЯ КОМИ НАУЧНОГО ЦЕНТРА УРО РАН, № 3 (35), стр. 19-22. https://doi.org/10.19110/1994-5655-2018-3-19-22

APA

Некипелов, С. В., Ломов, А. А., Мингалева, А. Е., Петрова, О. В., Сивков, Д. В., Шомысов, Н. Н., Шустова, Е. Н., & Сивков, В. Н. (2018). NEXAFS и XPS исследования пористого кремния. ИЗВЕСТИЯ КОМИ НАУЧНОГО ЦЕНТРА УРО РАН, (3 (35)), 19-22. https://doi.org/10.19110/1994-5655-2018-3-19-22

Vancouver

Некипелов СВ, Ломов АА, Мингалева АЕ, Петрова ОВ, Сивков ДВ, Шомысов НН и пр. NEXAFS и XPS исследования пористого кремния. ИЗВЕСТИЯ КОМИ НАУЧНОГО ЦЕНТРА УРО РАН. 2018 Янв. 1;(3 (35)):19-22. https://doi.org/10.19110/1994-5655-2018-3-19-22

Author

Некипелов, С. В. ; Ломов, А. А. ; Мингалева, Алёна Егоровна ; Петрова, О. В. ; Сивков, Данил Викторович ; Шомысов, Н. Н. ; Шустова, Е. Н. ; Сивков, В. Н. / NEXAFS и XPS исследования пористого кремния. в: ИЗВЕСТИЯ КОМИ НАУЧНОГО ЦЕНТРА УРО РАН. 2018 ; № 3 (35). стр. 19-22.

BibTeX

@article{4ea69fb5e1d54c1aad9c964f42da1139,
title = "NEXAFS и XPS исследования пористого кремния",
abstract = "Методами ультрамягкой рентгеновской спектроскопии с применением синхротронного излучения исследованы пористые слои кремния с различными типами проводимости. Определена эффективная толщина оксида на поверхности кремниевого скелетона и изучена структура интерфейса на границе кремний/оксид кремния. Показано, что тонкая структура спектров поглощения Si 2p кремниевого скелета совпадает с тонкой структурой спектра кристаллического кремния, а толщина оксидного слоя на поверхности пористого кремния 1,8-2,4 нм для различных образцов. Параметр x в стехиометрической формуле SiOх оксида кремния находится в диапазоне 1,66–1,82.",
author = "Некипелов, {С. В.} and Ломов, {А. А.} and Мингалева, {Алёна Егоровна} and Петрова, {О. В.} and Сивков, {Данил Викторович} and Шомысов, {Н. Н.} and Шустова, {Е. Н.} and Сивков, {В. Н.}",
year = "2018",
month = jan,
day = "1",
doi = "10.19110/1994-5655-2018-3-19-22",
language = "русский",
pages = "19--22",
journal = "ИЗВЕСТИЯ КОМИ НАУЧНОГО ЦЕНТРА УРО РАН",
issn = "1994-5655",
publisher = "Издательство Коми научного центра УрО РАН",
number = "3 (35)",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - NEXAFS и XPS исследования пористого кремния

AU - Некипелов, С. В.

AU - Ломов, А. А.

AU - Мингалева, Алёна Егоровна

AU - Петрова, О. В.

AU - Сивков, Данил Викторович

AU - Шомысов, Н. Н.

AU - Шустова, Е. Н.

AU - Сивков, В. Н.

PY - 2018/1/1

Y1 - 2018/1/1

N2 - Методами ультрамягкой рентгеновской спектроскопии с применением синхротронного излучения исследованы пористые слои кремния с различными типами проводимости. Определена эффективная толщина оксида на поверхности кремниевого скелетона и изучена структура интерфейса на границе кремний/оксид кремния. Показано, что тонкая структура спектров поглощения Si 2p кремниевого скелета совпадает с тонкой структурой спектра кристаллического кремния, а толщина оксидного слоя на поверхности пористого кремния 1,8-2,4 нм для различных образцов. Параметр x в стехиометрической формуле SiOх оксида кремния находится в диапазоне 1,66–1,82.

AB - Методами ультрамягкой рентгеновской спектроскопии с применением синхротронного излучения исследованы пористые слои кремния с различными типами проводимости. Определена эффективная толщина оксида на поверхности кремниевого скелетона и изучена структура интерфейса на границе кремний/оксид кремния. Показано, что тонкая структура спектров поглощения Si 2p кремниевого скелета совпадает с тонкой структурой спектра кристаллического кремния, а толщина оксидного слоя на поверхности пористого кремния 1,8-2,4 нм для различных образцов. Параметр x в стехиометрической формуле SiOх оксида кремния находится в диапазоне 1,66–1,82.

U2 - 10.19110/1994-5655-2018-3-19-22

DO - 10.19110/1994-5655-2018-3-19-22

M3 - статья

SP - 19

EP - 22

JO - ИЗВЕСТИЯ КОМИ НАУЧНОГО ЦЕНТРА УРО РАН

JF - ИЗВЕСТИЯ КОМИ НАУЧНОГО ЦЕНТРА УРО РАН

SN - 1994-5655

IS - 3 (35)

ER -

ID: 43105443