Standard

Gate-controlled proximity effect in superconductor/ferromagnet van der Waals heterostructures. / Bobkov, G. A.; Бокай, Кирилл Андреевич; Otrokov, M. M.; Bobkov, A. M.; Bobkova, I. V.

в: Physical Review Materials, Том 8, № 10, 104801, 15.10.2024.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

Harvard

Bobkov, GA, Бокай, КА, Otrokov, MM, Bobkov, AM & Bobkova, IV 2024, 'Gate-controlled proximity effect in superconductor/ferromagnet van der Waals heterostructures', Physical Review Materials, Том. 8, № 10, 104801. https://doi.org/10.1103/PhysRevMaterials.8.104801

APA

Bobkov, G. A., Бокай, К. А., Otrokov, M. M., Bobkov, A. M., & Bobkova, I. V. (2024). Gate-controlled proximity effect in superconductor/ferromagnet van der Waals heterostructures. Physical Review Materials, 8(10), [104801]. https://doi.org/10.1103/PhysRevMaterials.8.104801

Vancouver

Bobkov GA, Бокай КА, Otrokov MM, Bobkov AM, Bobkova IV. Gate-controlled proximity effect in superconductor/ferromagnet van der Waals heterostructures. Physical Review Materials. 2024 Окт. 15;8(10). 104801. https://doi.org/10.1103/PhysRevMaterials.8.104801

Author

Bobkov, G. A. ; Бокай, Кирилл Андреевич ; Otrokov, M. M. ; Bobkov, A. M. ; Bobkova, I. V. / Gate-controlled proximity effect in superconductor/ferromagnet van der Waals heterostructures. в: Physical Review Materials. 2024 ; Том 8, № 10.

BibTeX

@article{2495f6ca464d4e1caa895f2a733a05c6,
title = "Gate-controlled proximity effect in superconductor/ferromagnet van der Waals heterostructures",
abstract = "Открытие двумерных материалов предоставляет беспрецедентные возможности для создания новых материалов с заданными свойствами. Во многих случаях в основе проектирования лежит тот или иной эффект близости, т.е. наноразмерное проникновение электронных корреляций из одного материала в другой. В тонких Ван-дер-Ваальсовых (ВдВ) гетероструктурах области близости занимают всю систему. Здесь мы показываем, что физика магнитных и сверхпроводящих эффектов близости в двумерных ВдВ гетероструктурах сверхпроводник/ферромагнетик определяется эффектами интерфейсной гибридизации электронных спектров обоих материалов. Степень гибридизации можно регулировать при помощи гейтинга, что позволяет достичь высокой степени управляемости эффекта близости. В частности, мы показываем, что это позволяет электрически включать и выключать сверхпроводимость в таких структурах, а также контролировать величину и знак зеемановского расщепления сверхпроводящих спектров, открывая интересные возможности для спинтроники и спин-калоритроники.",
author = "Bobkov, {G. A.} and Бокай, {Кирилл Андреевич} and Otrokov, {M. M.} and Bobkov, {A. M.} and Bobkova, {I. V.}",
year = "2024",
month = oct,
day = "15",
doi = "10.1103/PhysRevMaterials.8.104801",
language = "English",
volume = "8",
journal = "Physical Review Materials",
issn = "2475-9953",
publisher = "American Physical Society",
number = "10",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - Gate-controlled proximity effect in superconductor/ferromagnet van der Waals heterostructures

AU - Bobkov, G. A.

AU - Бокай, Кирилл Андреевич

AU - Otrokov, M. M.

AU - Bobkov, A. M.

AU - Bobkova, I. V.

PY - 2024/10/15

Y1 - 2024/10/15

N2 - Открытие двумерных материалов предоставляет беспрецедентные возможности для создания новых материалов с заданными свойствами. Во многих случаях в основе проектирования лежит тот или иной эффект близости, т.е. наноразмерное проникновение электронных корреляций из одного материала в другой. В тонких Ван-дер-Ваальсовых (ВдВ) гетероструктурах области близости занимают всю систему. Здесь мы показываем, что физика магнитных и сверхпроводящих эффектов близости в двумерных ВдВ гетероструктурах сверхпроводник/ферромагнетик определяется эффектами интерфейсной гибридизации электронных спектров обоих материалов. Степень гибридизации можно регулировать при помощи гейтинга, что позволяет достичь высокой степени управляемости эффекта близости. В частности, мы показываем, что это позволяет электрически включать и выключать сверхпроводимость в таких структурах, а также контролировать величину и знак зеемановского расщепления сверхпроводящих спектров, открывая интересные возможности для спинтроники и спин-калоритроники.

AB - Открытие двумерных материалов предоставляет беспрецедентные возможности для создания новых материалов с заданными свойствами. Во многих случаях в основе проектирования лежит тот или иной эффект близости, т.е. наноразмерное проникновение электронных корреляций из одного материала в другой. В тонких Ван-дер-Ваальсовых (ВдВ) гетероструктурах области близости занимают всю систему. Здесь мы показываем, что физика магнитных и сверхпроводящих эффектов близости в двумерных ВдВ гетероструктурах сверхпроводник/ферромагнетик определяется эффектами интерфейсной гибридизации электронных спектров обоих материалов. Степень гибридизации можно регулировать при помощи гейтинга, что позволяет достичь высокой степени управляемости эффекта близости. В частности, мы показываем, что это позволяет электрически включать и выключать сверхпроводимость в таких структурах, а также контролировать величину и знак зеемановского расщепления сверхпроводящих спектров, открывая интересные возможности для спинтроники и спин-калоритроники.

UR - https://journals.aps.org/prmaterials/abstract/10.1103/PhysRevMaterials.8.104801

U2 - 10.1103/PhysRevMaterials.8.104801

DO - 10.1103/PhysRevMaterials.8.104801

M3 - Article

VL - 8

JO - Physical Review Materials

JF - Physical Review Materials

SN - 2475-9953

IS - 10

M1 - 104801

ER -

ID: 126103496