Тепловое движение атомов в кристалле интерпретировано как некое быстроосциллирующее поле напряжений, названное флуктуационным. С учетом положений физики твердого тела разработана теория такого поля. Эта теория применена к описанию движения дислокаций в случае, когда внешнее напряжение в кристалле меньше порогового уровня, необходимого для движения дислокаций. В этом случае движение дислокаций обеспечивается совместным действием внешнего и флуктуационного напряжений. Показано, что при ударном нагружении кристалла с длительностью, меньшей 10^(–5) – 10^(–6) с, и с напряжением, имеющим порядок динамического предела текучести кристалла, флуктуации напряжения, необходимые для движения дислокаций, не успевают произойти (с вероятностью, близкой к единице). В результате, в данном случае кристалл остается недеформированным пластически, несмотря на то, что при более длительном нагружении с тем же уровнем напряжения он будет испытывать пластическую деформацию. Компенсировать этот эффект, то есть вызвать пластическое дефо