DOI

We have investigated the electron and hole spin dynamics in p-doped semiconductor InAs/GaAs quantum dots by time resolved photoluminescence. We observe a decay of the average electron spin polarisation down to 1/3 of its initial value with a characteristic time of TΔ ≈ 500ps. We attribute this decay to the hyperfine interaction of the electron spin with randomly orientated nuclear spins. Magnetic field dependent studies reveal that this efficient spin relaxation mechanism can be suppressed by a field in the order of 100mT. In pump-probe like experiments we demonstrate that the resident hole spin, "written"2nd with a first pulse, remains stable long enough to be "read" 15ns later with a second pulse.

Язык оригиналаанглийский
Название основной публикацииUltrafast Phenomena in Semiconductors and Nanostructure Materials X
Том6118
DOI
СостояниеОпубликовано - 23 мая 2006
СобытиеUltrafast Phenomena in Semiconductors and Nanostructure Materials X - San Jose, CA, Соединенные Штаты Америки
Продолжительность: 23 янв 200625 янв 2006

конференция

конференцияUltrafast Phenomena in Semiconductors and Nanostructure Materials X
Страна/TерриторияСоединенные Штаты Америки
ГородSan Jose, CA
Период23/01/0625/01/06

    Предметные области Scopus

  • Электроника, оптика и магнитные материалы
  • Физика конденсатов
  • Прикладные компьютерные науки
  • Прикладная математика
  • Электротехника и электроника

ID: 39446747