Документы

Электронная структура серии кристаллов сложных оксидов теллура TeO2-TeO3 изучена с применением метода функционала плотности в градиентном приближении с функционалом PBE0 и с гибридным функционалом B3LYP. Установлено, что как ширина запрещенной зоны, так и поляризуемость убывают с увеличением содержания атомов теллура в состоянии Те(VI). Предложено объяснение такой аномалия, основанное на изменении вкладов 5s электронов атомов теллура: в атомах Te(IV) они соответствуют "потолку" валентной зоны, а в атомах Te(VI) они соответствуют "дну" зоны проводимости.
Переведенное названиеТеоретическое исследование электронной структуры и оптических свойств сложных оксидов теллура как перспективных материалов для нелинейной оптики
Язык оригиналаанглийский
Номер статьи125903
ЖурналMaterials Research Express
Том6
Номер выпуска12
Дата раннего онлайн-доступа8 ноя 2019
СостояниеОпубликовано - 20 ноя 2019

ID: 48983474