Показана возможность использования электролюминесценции для исследования структур Si-Ta2O5 и Si-SiO2-Ta2O5 и получения информации об электронном строении слоя Ta2O5 и свойствах границы SiO2-Ta2O5. Предложена модель электронного строения слоя Ta2O5, полученного методом молекулярного наслаивания, позволяющая объяснить вид спектрального распределения люминесценции независимо от способа ее возбуждения. Показано, что формирование слоя Ta2O5 на поверхности термически окисленного кремния сопровождается трансформацией в приповерхностной области SiO2 и гашением полосы люминесценции в спектральной области 650 nm. Ключевые слова: электролюминесценция, молекулярное наслаивание, спектральное распределение, электронное строение.
