Standard

Диагностика гамма-облученных структур Si-SiO2 методом катодолюминесценции. / Барабан, А.П.; Дмитриев, В.А.; Петров, Ю.В.; Тимофеева, К.А.

в: ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА, № 2(100), 2013, стр. 71-76.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья

Harvard

Барабан, АП, Дмитриев, ВА, Петров, ЮВ & Тимофеева, КА 2013, 'Диагностика гамма-облученных структур Si-SiO2 методом катодолюминесценции.', ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА, № 2(100), стр. 71-76.

APA

Барабан, А. П., Дмитриев, В. А., Петров, Ю. В., & Тимофеева, К. А. (2013). Диагностика гамма-облученных структур Si-SiO2 методом катодолюминесценции. ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА, (2(100)), 71-76.

Vancouver

Барабан АП, Дмитриев ВА, Петров ЮВ, Тимофеева КА. Диагностика гамма-облученных структур Si-SiO2 методом катодолюминесценции. ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. 2013;(2(100)):71-76.

Author

Барабан, А.П. ; Дмитриев, В.А. ; Петров, Ю.В. ; Тимофеева, К.А. / Диагностика гамма-облученных структур Si-SiO2 методом катодолюминесценции. в: ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. 2013 ; № 2(100). стр. 71-76.

BibTeX

@article{b974d5ca861f44288edd4676f37f951f,
title = "Диагностика гамма-облученных структур Si-SiO2 методом катодолюминесценции.",
author = "А.П. Барабан and В.А. Дмитриев and Ю.В. Петров and К.А Тимофеева",
year = "2013",
language = "не определен",
pages = "71--76",
journal = "ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА",
issn = "1561-5405",
publisher = "Московский институт электронной техники",
number = "2(100)",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - Диагностика гамма-облученных структур Si-SiO2 методом катодолюминесценции.

AU - Барабан, А.П.

AU - Дмитриев, В.А.

AU - Петров, Ю.В.

AU - Тимофеева, К.А

PY - 2013

Y1 - 2013

M3 - статья

SP - 71

EP - 76

JO - ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА

JF - ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА

SN - 1561-5405

IS - 2(100)

ER -

ID: 5638373