Standard

Формирование кристаллических слоев Cu2O и ZnO методом магнетронного распыления и их оптическая характеризация. / Агекян, Вадим Фадеевич; Борисов, Евгений Вадимович; Гудовских, Александр; Кудряшов, Дмитрий; Монастыренко, Анатолий; Серов, Алексей Юрьевич; Философов, Николай Глебович.

в: ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ, Том 52, № 3, 2018, стр. 402-408.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Harvard

Агекян, ВФ, Борисов, ЕВ, Гудовских, А, Кудряшов, Д, Монастыренко, А, Серов, АЮ & Философов, НГ 2018, 'Формирование кристаллических слоев Cu2O и ZnO методом магнетронного распыления и их оптическая характеризация', ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ, Том. 52, № 3, стр. 402-408. https://doi.org/10.21883/FTP.2018.03.45629.8682

APA

Агекян, В. Ф., Борисов, Е. В., Гудовских, А., Кудряшов, Д., Монастыренко, А., Серов, А. Ю., & Философов, Н. Г. (2018). Формирование кристаллических слоев Cu2O и ZnO методом магнетронного распыления и их оптическая характеризация. ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ, 52(3), 402-408. https://doi.org/10.21883/FTP.2018.03.45629.8682

Vancouver

Агекян ВФ, Борисов ЕВ, Гудовских А, Кудряшов Д, Монастыренко А, Серов АЮ и пр. Формирование кристаллических слоев Cu2O и ZnO методом магнетронного распыления и их оптическая характеризация. ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ. 2018;52(3):402-408. https://doi.org/10.21883/FTP.2018.03.45629.8682

Author

Агекян, Вадим Фадеевич ; Борисов, Евгений Вадимович ; Гудовских, Александр ; Кудряшов, Дмитрий ; Монастыренко, Анатолий ; Серов, Алексей Юрьевич ; Философов, Николай Глебович. / Формирование кристаллических слоев Cu2O и ZnO методом магнетронного распыления и их оптическая характеризация. в: ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ. 2018 ; Том 52, № 3. стр. 402-408.

BibTeX

@article{506cfe8bd1be433989ea152d9fd77dbf,
title = "Формирование кристаллических слоев Cu2O и ZnO методом магнетронного распыления и их оптическая характеризация",
abstract = "Методом магнетронного распыления сформированы пленки оксида меди (I) и оксида цинка толщиной в десятки и сотни нанометров на подложках из кремния и кварцевого стекла. Рост производился при различных температурах подложки и давлениях кислорода в рабочей камере. Образцы пленок исследованы методами рентгеновской дифракции и сканирующей электронной микроскопии и оптическими методами. Установлено, что увеличение температуры подложки приводит к изменению морфологии поверхности пленок оксида меди (I) в сторону образования отчетливо выраженных кристаллитов. Спектры отражения и рамановского рассеяния свидетельствуют о том, что качество таких пленок близко к качеству объемных кристаллов Cu2O, полученных методом окисления меди. Что касается ZnO, то повышение температуры подложки и увеличение парциального давления кислорода позволяет получить пленки, в спектрах отражения которых наблюдается резкая экситонная структура, а в спектрах люминесценции --- излучение экситонов, связанных на донорах.",
author = "Агекян, {Вадим Фадеевич} and Борисов, {Евгений Вадимович} and Александр Гудовских and Дмитрий Кудряшов and Анатолий Монастыренко and Серов, {Алексей Юрьевич} and Философов, {Николай Глебович}",
year = "2018",
doi = "10.21883/FTP.2018.03.45629.8682",
language = "русский",
volume = "52",
pages = "402--408",
journal = "ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ",
issn = "0015-3222",
publisher = "Издательство {"}Наука{"}",
number = "3",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - Формирование кристаллических слоев Cu2O и ZnO методом магнетронного распыления и их оптическая характеризация

AU - Агекян, Вадим Фадеевич

AU - Борисов, Евгений Вадимович

AU - Гудовских, Александр

AU - Кудряшов, Дмитрий

AU - Монастыренко, Анатолий

AU - Серов, Алексей Юрьевич

AU - Философов, Николай Глебович

PY - 2018

Y1 - 2018

N2 - Методом магнетронного распыления сформированы пленки оксида меди (I) и оксида цинка толщиной в десятки и сотни нанометров на подложках из кремния и кварцевого стекла. Рост производился при различных температурах подложки и давлениях кислорода в рабочей камере. Образцы пленок исследованы методами рентгеновской дифракции и сканирующей электронной микроскопии и оптическими методами. Установлено, что увеличение температуры подложки приводит к изменению морфологии поверхности пленок оксида меди (I) в сторону образования отчетливо выраженных кристаллитов. Спектры отражения и рамановского рассеяния свидетельствуют о том, что качество таких пленок близко к качеству объемных кристаллов Cu2O, полученных методом окисления меди. Что касается ZnO, то повышение температуры подложки и увеличение парциального давления кислорода позволяет получить пленки, в спектрах отражения которых наблюдается резкая экситонная структура, а в спектрах люминесценции --- излучение экситонов, связанных на донорах.

AB - Методом магнетронного распыления сформированы пленки оксида меди (I) и оксида цинка толщиной в десятки и сотни нанометров на подложках из кремния и кварцевого стекла. Рост производился при различных температурах подложки и давлениях кислорода в рабочей камере. Образцы пленок исследованы методами рентгеновской дифракции и сканирующей электронной микроскопии и оптическими методами. Установлено, что увеличение температуры подложки приводит к изменению морфологии поверхности пленок оксида меди (I) в сторону образования отчетливо выраженных кристаллитов. Спектры отражения и рамановского рассеяния свидетельствуют о том, что качество таких пленок близко к качеству объемных кристаллов Cu2O, полученных методом окисления меди. Что касается ZnO, то повышение температуры подложки и увеличение парциального давления кислорода позволяет получить пленки, в спектрах отражения которых наблюдается резкая экситонная структура, а в спектрах люминесценции --- излучение экситонов, связанных на донорах.

U2 - 10.21883/FTP.2018.03.45629.8682

DO - 10.21883/FTP.2018.03.45629.8682

M3 - статья

VL - 52

SP - 402

EP - 408

JO - ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ

JF - ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ

SN - 0015-3222

IS - 3

ER -

ID: 19212210