Исследованы спектры экситонной люминесценции гетероструктур CdTe/ZnTe, содержащих два тонких слоя CdTe, разделенных барьерами различной толщины. Сложная температурная зависимость интенсивности люминесценции из этих слоев при подбарьерном и надбарьерном способах ее возбуждения позволяет сделать выводы о влиянии толщины барьеров на перенос энергии между слоями CdTe и наблюдать при определенных значениях температуры реализацию возбуждения резонансного типа. Зависимость формы контуров экситонного излучения от уровня возбуждения дает сведения о реальной структуре слоев CdTe толщиной 1.5 и 4.0 монослоя. Работа поддержана СПбГУ, научная тема N 11.52.454.2016 и National Science Center (Poland), грант N UMO-2017/25/B/ST3/02966.