Standard

ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА МЕЖФАЗНОЙ ГРАНИЦЫ Si — СОЛЕВОЙ РАСПЛАВ. / Божевольнов, В. Б.; Яфясов, А. М.; Бесценный, О.И.

в: ВЕСТНИК САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКОГО УНИВЕРСИТЕТА. СЕРИЯ 4: ФИЗИКА, ХИМИЯ, № 1, 2014, стр. 37-42.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

Harvard

Божевольнов, ВБ, Яфясов, АМ & Бесценный, ОИ 2014, 'ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА МЕЖФАЗНОЙ ГРАНИЦЫ Si — СОЛЕВОЙ РАСПЛАВ.', ВЕСТНИК САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКОГО УНИВЕРСИТЕТА. СЕРИЯ 4: ФИЗИКА, ХИМИЯ, № 1, стр. 37-42.

APA

Божевольнов, В. Б., Яфясов, А. М., & Бесценный, О. И. (2014). ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА МЕЖФАЗНОЙ ГРАНИЦЫ Si — СОЛЕВОЙ РАСПЛАВ. ВЕСТНИК САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКОГО УНИВЕРСИТЕТА. СЕРИЯ 4: ФИЗИКА, ХИМИЯ, (1), 37-42.

Vancouver

Божевольнов ВБ, Яфясов АМ, Бесценный ОИ. ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА МЕЖФАЗНОЙ ГРАНИЦЫ Si — СОЛЕВОЙ РАСПЛАВ. ВЕСТНИК САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКОГО УНИВЕРСИТЕТА. СЕРИЯ 4: ФИЗИКА, ХИМИЯ. 2014;(1):37-42.

Author

Божевольнов, В. Б. ; Яфясов, А. М. ; Бесценный, О.И. / ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА МЕЖФАЗНОЙ ГРАНИЦЫ Si — СОЛЕВОЙ РАСПЛАВ. в: ВЕСТНИК САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКОГО УНИВЕРСИТЕТА. СЕРИЯ 4: ФИЗИКА, ХИМИЯ. 2014 ; № 1. стр. 37-42.

BibTeX

@article{f6ee53cb780c48cebbc841b498f7b803,
title = "ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА МЕЖФАЗНОЙ ГРАНИЦЫ Si — СОЛЕВОЙ РАСПЛАВ.",
abstract = "стве солнечных элементов можно осуществить методом эффекта поля с использованием жидкостного полевого электрода. Однако зарядовые состояния, локализованные на интер- фейсе, обусловливают наличие фундаментального ограничения на точность определения параметров поверхности полупроводника. Плотность и распределение поверхностных со- стояний можно варьировать, выбрав жидкостной полевой электрод, что даёт возможность оптимизации техники измерений. Нами выбраны жидкостные электроды, которые имеют одинаковый химический состав и отличаются тем, что в растворе ионы находятся в соль- ватированом состоянии, а в расплаве сохранён кристаллический ближний порядок вплоть до поверхности. Изучение интерфейсов n—Si (nSi = 6,5 · 1014 см−3) срас твором и низко- температурным расплавом соли показало, что природа поверхностных состояний является единой в растворе и расплаве. Мы предполагаем, что поверхностные состояния связаны с ге- нетическими зарядовыми центрами на поверхности кремния, плотность которых не менее 4,5 · 1012 см−2.",
keywords = "метод эффекта поля, жидкостной полевой электрод, раствор, низко- температурный расплав соли, плотность и распределение поверхностных состояний, концен- трация носителей заряда, кремний, солнечный элемент.",
author = "Божевольнов, {В. Б.} and Яфясов, {А. М.} and О.И. Бесценный",
year = "2014",
language = "русский",
pages = "37--42",
journal = "ВЕСТНИК САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКОГО УНИВЕРСИТЕТА. ФИЗИКА И ХИМИЯ",
issn = "1024-8579",
publisher = "Издательство Санкт-Петербургского университета",
number = "1",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА МЕЖФАЗНОЙ ГРАНИЦЫ Si — СОЛЕВОЙ РАСПЛАВ.

AU - Божевольнов, В. Б.

AU - Яфясов, А. М.

AU - Бесценный, О.И.

PY - 2014

Y1 - 2014

N2 - стве солнечных элементов можно осуществить методом эффекта поля с использованием жидкостного полевого электрода. Однако зарядовые состояния, локализованные на интер- фейсе, обусловливают наличие фундаментального ограничения на точность определения параметров поверхности полупроводника. Плотность и распределение поверхностных со- стояний можно варьировать, выбрав жидкостной полевой электрод, что даёт возможность оптимизации техники измерений. Нами выбраны жидкостные электроды, которые имеют одинаковый химический состав и отличаются тем, что в растворе ионы находятся в соль- ватированом состоянии, а в расплаве сохранён кристаллический ближний порядок вплоть до поверхности. Изучение интерфейсов n—Si (nSi = 6,5 · 1014 см−3) срас твором и низко- температурным расплавом соли показало, что природа поверхностных состояний является единой в растворе и расплаве. Мы предполагаем, что поверхностные состояния связаны с ге- нетическими зарядовыми центрами на поверхности кремния, плотность которых не менее 4,5 · 1012 см−2.

AB - стве солнечных элементов можно осуществить методом эффекта поля с использованием жидкостного полевого электрода. Однако зарядовые состояния, локализованные на интер- фейсе, обусловливают наличие фундаментального ограничения на точность определения параметров поверхности полупроводника. Плотность и распределение поверхностных со- стояний можно варьировать, выбрав жидкостной полевой электрод, что даёт возможность оптимизации техники измерений. Нами выбраны жидкостные электроды, которые имеют одинаковый химический состав и отличаются тем, что в растворе ионы находятся в соль- ватированом состоянии, а в расплаве сохранён кристаллический ближний порядок вплоть до поверхности. Изучение интерфейсов n—Si (nSi = 6,5 · 1014 см−3) срас твором и низко- температурным расплавом соли показало, что природа поверхностных состояний является единой в растворе и расплаве. Мы предполагаем, что поверхностные состояния связаны с ге- нетическими зарядовыми центрами на поверхности кремния, плотность которых не менее 4,5 · 1012 см−2.

KW - метод эффекта поля

KW - жидкостной полевой электрод

KW - раствор

KW - низко- температурный расплав соли

KW - плотность и распределение поверхностных состояний

KW - концен- трация носителей заряда

KW - кремний

KW - солнечный элемент.

M3 - статья

SP - 37

EP - 42

JO - ВЕСТНИК САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКОГО УНИВЕРСИТЕТА. ФИЗИКА И ХИМИЯ

JF - ВЕСТНИК САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКОГО УНИВЕРСИТЕТА. ФИЗИКА И ХИМИЯ

SN - 1024-8579

IS - 1

ER -

ID: 5692318