Standard

Полупроводниковые свойства халькогенидной системы Ga-Ge-S:Er3+. / Иванова, Т.Ю.; Курочкин, А.В.; Маньшина, А.А.; Поволоцкий, А.В.; Тверьянович, Ю.С.

Полупроводниковые свойства халькогенидной системы Ga-Ge-S:Er3+. 2005. стр. 213-221.

Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике › научная

Harvard

Иванова, ТЮ, Курочкин, АВ, Маньшина, АА, Поволоцкий, АВ & Тверьянович, ЮС 2005, Полупроводниковые свойства халькогенидной системы Ga-Ge-S:Er3+. в Полупроводниковые свойства халькогенидной системы Ga-Ge-S:Er3+. стр. 213-221.

APA

Иванова, Т. Ю., Курочкин, А. В., Маньшина, А. А., Поволоцкий, А. В., & Тверьянович, Ю. С. (2005). Полупроводниковые свойства халькогенидной системы Ga-Ge-S:Er3+. в Полупроводниковые свойства халькогенидной системы Ga-Ge-S:Er3+ (стр. 213-221)

Vancouver

Иванова ТЮ, Курочкин АВ, Маньшина АА, Поволоцкий АВ, Тверьянович ЮС. Полупроводниковые свойства халькогенидной системы Ga-Ge-S:Er3+. в Полупроводниковые свойства халькогенидной системы Ga-Ge-S:Er3+. 2005. стр. 213-221

Author

Иванова, Т.Ю. ; Курочкин, А.В. ; Маньшина, А.А. ; Поволоцкий, А.В. ; Тверьянович, Ю.С. / Полупроводниковые свойства халькогенидной системы Ga-Ge-S:Er3+. Полупроводниковые свойства халькогенидной системы Ga-Ge-S:Er3+. 2005. стр. 213-221

BibTeX

@inbook{8fbf3e55c9df49eb8196a15562f5fa8e,
title = "Полупроводниковые свойства халькогенидной системы Ga-Ge-S:Er3+",
author = "Т.Ю. Иванова and А.В. Курочкин and А.А. Маньшина and А.В. Поволоцкий and Ю.С. Тверьянович",
year = "2005",
language = "не определен",
pages = "213--221",
booktitle = "Полупроводниковые свойства халькогенидной системы Ga-Ge-S:Er3+",

}

RIS

TY - CHAP

T1 - Полупроводниковые свойства халькогенидной системы Ga-Ge-S:Er3+

AU - Иванова, Т.Ю.

AU - Курочкин, А.В.

AU - Маньшина, А.А.

AU - Поволоцкий, А.В.

AU - Тверьянович, Ю.С.

PY - 2005

Y1 - 2005

M3 - статья в сборнике

SP - 213

EP - 221

BT - Полупроводниковые свойства халькогенидной системы Ga-Ge-S:Er3+

ER -

ID: 4437210