Исследована серия гетероструктур, состоящих из матрицы ZnTe, содержащей два монослоя CdTe, разделенных барьерными слоями различной толщины. Определены зависимости от толщины барьерного слоя ZnTe энергий полос излучения экситона, связанного с узкозонными слоями CdTe, их относительных интенсивностей и температурного поведения. Установлено, что монослои CdTe можно считать независимыми друг от друга при толщине барьерного слоя более 30 монослоев. Ключевые слова: полупроводники II-VI, гетероструктуры CdTe/ZnTe, экситон, люминесценция.