Работа посвящена исследованию фазово-химических преобразований в объёмном халькогенидном стекле As2Se3 при воздействии серии фемтосекундных лазерных импульсов с высокой частотой следования в режиме интенсивной абляции. В качестве объекта исследования используются пластины халькогенидного стекла As2Se3, подвергнутые воздействию фемтосекудных лазерных импульсов с длиной волны 515 нм и частотой следования вплоть до 1 МГц. Диагностика образцов проводится методами цифровой оптической микроскопии и рамановской спектроскопии. Теоретический анализ включает в себя как расчёты фотовозбуждения и нагрева полупроводника одиночным лазерным импульсом, так и расчёты накопительного нагрева поверхности образца с учётом трёхмерного теплоотвода. В килогерцовом диапазоне частот следования импульсов установлен порог одноимпульсной лазерной абляции и определены параметры степенной зависимости порога абляции от количества импульсов (инкубационный эффект). Проведён детальный анализ морфологии облучённых образцов и химического состава продуктов лазерной абляции, в ходе которого установлено образование аморфного селена (а-Se) и кристаллов арсенолита (Аs2O3). Теоретический анализ позволил оценить степени нагрева и фотовозбуждения халькогенидного стекла As2Se3 одиночным лазерным импульсом и выявил существенный вклад эффекта накопления тепла в нагрев поверхности в мегагерцовом диапазоне частот следования импульсов. На основе совокупности полученных результатов установлен парофазный механизм преобразования фазового и химического состава в объёмном халькогенидном стекле As2Se3 при лазерной абляции с мегагерцовой частотой следования фемтосекундных импульсов. Полученные результаты открывают перспективы для разработки высокопроизводительных технологий фемтосекундной лазерной обработки халькогенидных материалов в фотонике и сенсорике.