Дислокационная структура индентированных объемных кристаллов AlN

Standard

Дислокационная структура индентированных объемных кристаллов AlN. / Вывенко, Олег Федорович ; Гогина, Ольга Андреевна ; Петров, Юрий Владимирович ; Убыйвовк, Евгений Викторович; Аргунова, Татьяна Сергеевна; Нагалюк, С.С.

в: ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ, Том 59, № 5, 61479, 09.05.2025, стр. 306-309.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

BibTeX

@article{61e8eccd89f2405f9b35e6cb04f9d31d,

title = "Дислокационная структура индентированных объемных кристаллов AlN",

abstract = "Приведены результаты катодолюминесцентных исследований дефектной структуры, созданной индентированием базисной и призматической поверхности малодислокационных объемных кристаллов нитридаалюминия, а также нитрида галлия. Впервые установлено, что дислокационная структура в приповерхностнойобласти вблизи отпечатка индентора в AlN качественно отличается от хорошо известной для другихполупроводников со структурой вюрцита и хорошо объяснимой моделью Пайерлса. Сделано заключение онеприменимости этой модели для характеризации динамики дислокаций в AlN и необходимости разработкидля этого новых теоретических подходов.",

author = "Вывенко, {Олег Федорович} and Гогина, {Ольга Андреевна} and Петров, {Юрий Владимирович} and Убыйвовк, {Евгений Викторович} and Аргунова, {Татьяна Сергеевна} and С.С. Нагалюк",

year = "2025",

month = may,

day = "9",

doi = "10.61011/FTP.2025.05.61479.8095",

language = "русский",

volume = "59",

pages = "306--309",

journal = "ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ",

issn = "0015-3222",

publisher = "Издательство {"}Наука{"}",

number = "5",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - Дислокационная структура индентированных объемных кристаллов AlN

AU - Вывенко, Олег Федорович

AU - Гогина, Ольга Андреевна

AU - Петров, Юрий Владимирович

AU - Убыйвовк, Евгений Викторович

AU - Аргунова, Татьяна Сергеевна

AU - Нагалюк, С.С.

PY - 2025/5/9

Y1 - 2025/5/9

N2 - Приведены результаты катодолюминесцентных исследований дефектной структуры, созданной индентированием базисной и призматической поверхности малодислокационных объемных кристаллов нитридаалюминия, а также нитрида галлия. Впервые установлено, что дислокационная структура в приповерхностнойобласти вблизи отпечатка индентора в AlN качественно отличается от хорошо известной для другихполупроводников со структурой вюрцита и хорошо объяснимой моделью Пайерлса. Сделано заключение онеприменимости этой модели для характеризации динамики дислокаций в AlN и необходимости разработкидля этого новых теоретических подходов.

AB - Приведены результаты катодолюминесцентных исследований дефектной структуры, созданной индентированием базисной и призматической поверхности малодислокационных объемных кристаллов нитридаалюминия, а также нитрида галлия. Впервые установлено, что дислокационная структура в приповерхностнойобласти вблизи отпечатка индентора в AlN качественно отличается от хорошо известной для другихполупроводников со структурой вюрцита и хорошо объяснимой моделью Пайерлса. Сделано заключение онеприменимости этой модели для характеризации динамики дислокаций в AlN и необходимости разработкидля этого новых теоретических подходов.

U2 - 10.61011/FTP.2025.05.61479.8095

DO - 10.61011/FTP.2025.05.61479.8095

M3 - статья

VL - 59

SP - 306

EP - 309

JO - ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ

JF - ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ

SN - 0015-3222

IS - 5

M1 - 61479

ER -

ID: 145689531