Standard

О механизме селективного заселения уровня 3p1 атома неона в He−Ne-плазме. / Иванов, Владимир Александрович; Скобло, Юрий Эдуардович.

в: ОПТИКА И СПЕКТРОСКОПИЯ, Том 132, № 7, 07.2024, стр. 685-690.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

Harvard

APA

Vancouver

Author

BibTeX

@article{056a427a15e04334a756280ac4d6dae2,
title = "О механизме селективного заселения уровня 3p1 атома неона в He−Ne-плазме",
abstract = " В спектроскопических исследованиях гелий-неоновой плазмы, проведенных ранее, была обнаружена ярко выраженная селективность заселения уровня 3p1 (по Пашену), верхнего из группы уровней конфигурации 2p54p атома Ne. По мере роста давления гелия в линии 352.05nm (3p1 → 1s2) концентрировалось до 60% интенсивности всех переходов 2p54p → 2p53s. В настоящей работе предложен механизм роста относительной населенности уровня 3p1 при увеличении давления He, связанный с особенностями столкновительной кинетики состояний 3pi конфигурации 2p54p. Причиной значительно более быстрого опустошения нижних уровней 3pi (i ≥ 2) по сравнению с 3p1, по-видимому, являются особенности взаимного расположения адиабатических термов системы Ne(2p54p)+He(1s2 1S0). Механизм формирования селективного заселения уровня 3p1, рассмотренный в данной работе, может реализоваться в смеси гелия с неоном и не может реализоваться в чистом неоне, что соответствует результатам спектроскопических исследований. Проведены модельные расчеты части спектра, относящейся к переходам 3p1, 3p4, 3p2 → 1sj, при фиксированном распределении потоков заселения состояний 3p1, 3p4, 3p2 и различных давлениях гелия. Наблюдается хорошее соответствие результатов измерений и результатов численного моделирования.",
keywords = "гелий-неоновая плазма, селективное заселение, неупругие столкновения атомов, адиабатические термы, численное моделирование заселения возбужденных состояний.",
author = "Иванов, {Владимир Александрович} and Скобло, {Юрий Эдуардович}",
year = "2024",
month = jul,
doi = "10.61011/OS.2024.07.58890.5540-24",
language = "русский",
volume = "132",
pages = "685--690",
journal = "ОПТИКА И СПЕКТРОСКОПИЯ",
issn = "0030-4034",
publisher = "Международная книга",
number = "7",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - О механизме селективного заселения уровня 3p1 атома неона в He−Ne-плазме

AU - Иванов, Владимир Александрович

AU - Скобло, Юрий Эдуардович

PY - 2024/7

Y1 - 2024/7

N2 - В спектроскопических исследованиях гелий-неоновой плазмы, проведенных ранее, была обнаружена ярко выраженная селективность заселения уровня 3p1 (по Пашену), верхнего из группы уровней конфигурации 2p54p атома Ne. По мере роста давления гелия в линии 352.05nm (3p1 → 1s2) концентрировалось до 60% интенсивности всех переходов 2p54p → 2p53s. В настоящей работе предложен механизм роста относительной населенности уровня 3p1 при увеличении давления He, связанный с особенностями столкновительной кинетики состояний 3pi конфигурации 2p54p. Причиной значительно более быстрого опустошения нижних уровней 3pi (i ≥ 2) по сравнению с 3p1, по-видимому, являются особенности взаимного расположения адиабатических термов системы Ne(2p54p)+He(1s2 1S0). Механизм формирования селективного заселения уровня 3p1, рассмотренный в данной работе, может реализоваться в смеси гелия с неоном и не может реализоваться в чистом неоне, что соответствует результатам спектроскопических исследований. Проведены модельные расчеты части спектра, относящейся к переходам 3p1, 3p4, 3p2 → 1sj, при фиксированном распределении потоков заселения состояний 3p1, 3p4, 3p2 и различных давлениях гелия. Наблюдается хорошее соответствие результатов измерений и результатов численного моделирования.

AB - В спектроскопических исследованиях гелий-неоновой плазмы, проведенных ранее, была обнаружена ярко выраженная селективность заселения уровня 3p1 (по Пашену), верхнего из группы уровней конфигурации 2p54p атома Ne. По мере роста давления гелия в линии 352.05nm (3p1 → 1s2) концентрировалось до 60% интенсивности всех переходов 2p54p → 2p53s. В настоящей работе предложен механизм роста относительной населенности уровня 3p1 при увеличении давления He, связанный с особенностями столкновительной кинетики состояний 3pi конфигурации 2p54p. Причиной значительно более быстрого опустошения нижних уровней 3pi (i ≥ 2) по сравнению с 3p1, по-видимому, являются особенности взаимного расположения адиабатических термов системы Ne(2p54p)+He(1s2 1S0). Механизм формирования селективного заселения уровня 3p1, рассмотренный в данной работе, может реализоваться в смеси гелия с неоном и не может реализоваться в чистом неоне, что соответствует результатам спектроскопических исследований. Проведены модельные расчеты части спектра, относящейся к переходам 3p1, 3p4, 3p2 → 1sj, при фиксированном распределении потоков заселения состояний 3p1, 3p4, 3p2 и различных давлениях гелия. Наблюдается хорошее соответствие результатов измерений и результатов численного моделирования.

KW - гелий-неоновая плазма, селективное заселение, неупругие столкновения атомов, адиабатические термы, численное моделирование заселения возбужденных состояний.

U2 - 10.61011/OS.2024.07.58890.5540-24

DO - 10.61011/OS.2024.07.58890.5540-24

M3 - статья

VL - 132

SP - 685

EP - 690

JO - ОПТИКА И СПЕКТРОСКОПИЯ

JF - ОПТИКА И СПЕКТРОСКОПИЯ

SN - 0030-4034

IS - 7

ER -

ID: 126919018