Standard

Динамика релаксации неравновесных носителей заряда в GaAs с квантовыми точками. / Пастор, А. А.; Прохорова, У. В.; Сердобинцев, П. Ю.; Чалдышев, В. В.; Лыгина, Е.

в: ВЕСТНИК САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКОГО УНИВЕРСИТЕТА. СЕРИЯ 4: ФИЗИКА, ХИМИЯ, № 2, 2013, стр. 10-13.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › Обзор литературы › Рецензирование

Harvard

Пастор, АА, Прохорова, УВ, Сердобинцев, ПЮ, Чалдышев, ВВ & Лыгина, Е 2013, 'Динамика релаксации неравновесных носителей заряда в GaAs с квантовыми точками', ВЕСТНИК САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКОГО УНИВЕРСИТЕТА. СЕРИЯ 4: ФИЗИКА, ХИМИЯ, № 2, стр. 10-13. <http://vestnik.unipress.ru/>

APA

Пастор, А. А., Прохорова, У. В., Сердобинцев, П. Ю., Чалдышев, В. В., & Лыгина, Е. (2013). Динамика релаксации неравновесных носителей заряда в GaAs с квантовыми точками. ВЕСТНИК САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКОГО УНИВЕРСИТЕТА. СЕРИЯ 4: ФИЗИКА, ХИМИЯ, (2), 10-13. http://vestnik.unipress.ru/

Vancouver

Пастор АА, Прохорова УВ, Сердобинцев ПЮ, Чалдышев ВВ, Лыгина Е. Динамика релаксации неравновесных носителей заряда в GaAs с квантовыми точками. ВЕСТНИК САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКОГО УНИВЕРСИТЕТА. СЕРИЯ 4: ФИЗИКА, ХИМИЯ. 2013;(2):10-13.

Author

Пастор, А. А. ; Прохорова, У. В. ; Сердобинцев, П. Ю. ; Чалдышев, В. В. ; Лыгина, Е. / Динамика релаксации неравновесных носителей заряда в GaAs с квантовыми точками. в: ВЕСТНИК САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКОГО УНИВЕРСИТЕТА. СЕРИЯ 4: ФИЗИКА, ХИМИЯ. 2013 ; № 2. стр. 10-13.

BibTeX

@article{643e4c65a04c43a49ad4419b142e4279,
title = "Динамика релаксации неравновесных носителей заряда в GaAs с квантовыми точками",
abstract = "Исследовались образцы LT-GaAs, выращенные при низкой температуре методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из полуизолирующего GaAs. Одни образцы подвергались отжигу, другие — нет. В работе использована оригинальная схема измерения динамического изменения коэффициента преломления света, основанная на методике pump-probe. В материале с помощью лазерного излучения создавалась концентрация неравновесных носителей заряда, достаточная для изменения показателя преломления, затем регистрировалась динамика изменения наведённого показателя преломления и вычислялось время жизни неравновесных носителей заряда. Для экспериментов использовалась лазерная установка «Пульсар-10» с длиной волны 800 нм, энергией в импульсе 1–5 мДж, частотой повторения импульсов 10 Гц и длительностью импульса 50 фс. Получены новые результаты для значений времени жизни ряда новых образцов GaAs и сделаны предположения о связи полученных результатов с некоторыми условиями выращивания образцов. Предполагается, что увеличение времени жизни",
keywords = "арсенид галлия, МЛЭ, время жизни носителей заряда, отжиг GaAs, время ре-лаксации свободных носителей, квантовые точки, условия выращивания GaAs.",
author = "Пастор, {А. А.} and Прохорова, {У. В.} and Сердобинцев, {П. Ю.} and Чалдышев, {В. В.} and Е. Лыгина",
year = "2013",
language = "русский",
pages = "10--13",
journal = "ВЕСТНИК САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКОГО УНИВЕРСИТЕТА. ФИЗИКА И ХИМИЯ",
issn = "1024-8579",
publisher = "Издательство Санкт-Петербургского университета",
number = "2",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - Динамика релаксации неравновесных носителей заряда в GaAs с квантовыми точками

AU - Пастор, А. А.

AU - Прохорова, У. В.

AU - Сердобинцев, П. Ю.

AU - Чалдышев, В. В.

AU - Лыгина, Е.

PY - 2013

Y1 - 2013

N2 - Исследовались образцы LT-GaAs, выращенные при низкой температуре методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из полуизолирующего GaAs. Одни образцы подвергались отжигу, другие — нет. В работе использована оригинальная схема измерения динамического изменения коэффициента преломления света, основанная на методике pump-probe. В материале с помощью лазерного излучения создавалась концентрация неравновесных носителей заряда, достаточная для изменения показателя преломления, затем регистрировалась динамика изменения наведённого показателя преломления и вычислялось время жизни неравновесных носителей заряда. Для экспериментов использовалась лазерная установка «Пульсар-10» с длиной волны 800 нм, энергией в импульсе 1–5 мДж, частотой повторения импульсов 10 Гц и длительностью импульса 50 фс. Получены новые результаты для значений времени жизни ряда новых образцов GaAs и сделаны предположения о связи полученных результатов с некоторыми условиями выращивания образцов. Предполагается, что увеличение времени жизни

AB - Исследовались образцы LT-GaAs, выращенные при низкой температуре методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из полуизолирующего GaAs. Одни образцы подвергались отжигу, другие — нет. В работе использована оригинальная схема измерения динамического изменения коэффициента преломления света, основанная на методике pump-probe. В материале с помощью лазерного излучения создавалась концентрация неравновесных носителей заряда, достаточная для изменения показателя преломления, затем регистрировалась динамика изменения наведённого показателя преломления и вычислялось время жизни неравновесных носителей заряда. Для экспериментов использовалась лазерная установка «Пульсар-10» с длиной волны 800 нм, энергией в импульсе 1–5 мДж, частотой повторения импульсов 10 Гц и длительностью импульса 50 фс. Получены новые результаты для значений времени жизни ряда новых образцов GaAs и сделаны предположения о связи полученных результатов с некоторыми условиями выращивания образцов. Предполагается, что увеличение времени жизни

KW - арсенид галлия

KW - МЛЭ

KW - время жизни носителей заряда

KW - отжиг GaAs

KW - время ре-лаксации свободных носителей

KW - квантовые точки

KW - условия выращивания GaAs.

M3 - Обзор литературы

SP - 10

EP - 13

JO - ВЕСТНИК САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКОГО УНИВЕРСИТЕТА. ФИЗИКА И ХИМИЯ

JF - ВЕСТНИК САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКОГО УНИВЕРСИТЕТА. ФИЗИКА И ХИМИЯ

SN - 1024-8579

IS - 2

ER -

ID: 5727805