Standard

Оптические и электрические свойства микроструктур на основе GaN : Si с широким диапазоном уровней легирования. / Агекян, В.Ф.; Борисов, Е.В.; Воробьев, Л.Е.; Мелентьев, Г.А.; Nykanen, H.; Riuttanen, L.; Серов, А.Ю.; Suihkonen, S.; Svensk, O.; Философов, Н.Г.; Шалыгин, В.А.; Шелухин, Л.А.

в: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА, Том 57, № 4, 2015, стр. 768-774.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Harvard

Агекян, ВФ, Борисов, ЕВ, Воробьев, ЛЕ, Мелентьев, ГА, Nykanen, H, Riuttanen, L, Серов, АЮ, Suihkonen, S, Svensk, O, Философов, НГ, Шалыгин, ВА & Шелухин, ЛА 2015, 'Оптические и электрические свойства микроструктур на основе GaN : Si с широким диапазоном уровней легирования', ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА, Том. 57, № 4, стр. 768-774. <http://journals.ioffe.ru/ftt/2015/04/p768-774.pdf>

APA

Агекян, В. Ф., Борисов, Е. В., Воробьев, Л. Е., Мелентьев, Г. А., Nykanen, H., Riuttanen, L., Серов, А. Ю., Suihkonen, S., Svensk, O., Философов, Н. Г., Шалыгин, В. А., & Шелухин, Л. А. (2015). Оптические и электрические свойства микроструктур на основе GaN : Si с широким диапазоном уровней легирования. ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА, 57(4), 768-774. http://journals.ioffe.ru/ftt/2015/04/p768-774.pdf

Vancouver

Агекян ВФ, Борисов ЕВ, Воробьев ЛЕ, Мелентьев ГА, Nykanen H, Riuttanen L и пр. Оптические и электрические свойства микроструктур на основе GaN : Si с широким диапазоном уровней легирования. ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА. 2015;57(4):768-774.

Author

Агекян, В.Ф. ; Борисов, Е.В. ; Воробьев, Л.Е. ; Мелентьев, Г.А. ; Nykanen, H. ; Riuttanen, L. ; Серов, А.Ю. ; Suihkonen, S. ; Svensk, O. ; Философов, Н.Г. ; Шалыгин, В.А. ; Шелухин, Л.А. / Оптические и электрические свойства микроструктур на основе GaN : Si с широким диапазоном уровней легирования. в: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА. 2015 ; Том 57, № 4. стр. 768-774.

BibTeX

@article{0fd52ebc672b4bcf8e0b6ff555989337,
title = "Оптические и электрические свойства микроструктур на основе GaN : Si с широким диапазоном уровней легирования",
abstract = "Изучены оптические и электрические свойства легированных кремнием эпитаксиальных слоев нитрида галлия, выращенных на сапфире. Исследования проведены в широком диапазоне концентраций кремния по обе стороны от перехода Мотта. Уточнены значения критических концентраций атомов Si, соответствующие формированию примесной зоны в нитриде галлия (∼ 2.5 · 1018 cm−3) и перекрытию примесной зоны с зоной проводимости (∼ 2 · 1019 cm−3). Обнаружена немонотонность сдвига максимума спектра фотолюминесценции при увеличении уровня легирования. Этот сдвиг определяется двумя факторами: 1) усилением обменного взаимодействия, приводящего к уменьшению ширины запрещенной зоны, 2) изменением механизма излучения с ростом концентрации доноров. Изучена температурная зависимость экситонной люминесценции с участием оптических фононов. Методом рамановской спектроскопии измерены энергии фонон-плазмонных мод в слоях GaN : Si с различными концентрациями кремния.",
author = "В.Ф. Агекян and Е.В. Борисов and Л.Е. Воробьев and Г.А. Мелентьев and H. Nykanen and L. Riuttanen and А.Ю. Серов and S. Suihkonen and O. Svensk and Н.Г. Философов and В.А. Шалыгин and Л.А. Шелухин",
year = "2015",
language = "русский",
volume = "57",
pages = "768--774",
journal = "ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА",
issn = "0367-3294",
publisher = "Издательство {"}Наука{"}",
number = "4",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - Оптические и электрические свойства микроструктур на основе GaN : Si с широким диапазоном уровней легирования

AU - Агекян, В.Ф.

AU - Борисов, Е.В.

AU - Воробьев, Л.Е.

AU - Мелентьев, Г.А.

AU - Nykanen, H.

AU - Riuttanen, L.

AU - Серов, А.Ю.

AU - Suihkonen, S.

AU - Svensk, O.

AU - Философов, Н.Г.

AU - Шалыгин, В.А.

AU - Шелухин, Л.А.

PY - 2015

Y1 - 2015

N2 - Изучены оптические и электрические свойства легированных кремнием эпитаксиальных слоев нитрида галлия, выращенных на сапфире. Исследования проведены в широком диапазоне концентраций кремния по обе стороны от перехода Мотта. Уточнены значения критических концентраций атомов Si, соответствующие формированию примесной зоны в нитриде галлия (∼ 2.5 · 1018 cm−3) и перекрытию примесной зоны с зоной проводимости (∼ 2 · 1019 cm−3). Обнаружена немонотонность сдвига максимума спектра фотолюминесценции при увеличении уровня легирования. Этот сдвиг определяется двумя факторами: 1) усилением обменного взаимодействия, приводящего к уменьшению ширины запрещенной зоны, 2) изменением механизма излучения с ростом концентрации доноров. Изучена температурная зависимость экситонной люминесценции с участием оптических фононов. Методом рамановской спектроскопии измерены энергии фонон-плазмонных мод в слоях GaN : Si с различными концентрациями кремния.

AB - Изучены оптические и электрические свойства легированных кремнием эпитаксиальных слоев нитрида галлия, выращенных на сапфире. Исследования проведены в широком диапазоне концентраций кремния по обе стороны от перехода Мотта. Уточнены значения критических концентраций атомов Si, соответствующие формированию примесной зоны в нитриде галлия (∼ 2.5 · 1018 cm−3) и перекрытию примесной зоны с зоной проводимости (∼ 2 · 1019 cm−3). Обнаружена немонотонность сдвига максимума спектра фотолюминесценции при увеличении уровня легирования. Этот сдвиг определяется двумя факторами: 1) усилением обменного взаимодействия, приводящего к уменьшению ширины запрещенной зоны, 2) изменением механизма излучения с ростом концентрации доноров. Изучена температурная зависимость экситонной люминесценции с участием оптических фононов. Методом рамановской спектроскопии измерены энергии фонон-плазмонных мод в слоях GaN : Si с различными концентрациями кремния.

M3 - статья

VL - 57

SP - 768

EP - 774

JO - ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА

JF - ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА

SN - 0367-3294

IS - 4

ER -

ID: 5759651