Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › тезисы › Рецензирование
Спин-решеточное взаимодействие ядер галлия в высокоомном кристалле GaAs. / Рочев, Андрей Михайлович; Микушев, Владимир Михайлович; Чарная, Елена Владимировна; Нефедов, Денис Юрьевич.
в: АКУСТИЧЕСКИЙ ЖУРНАЛ, Том 71, № S5, 26.12.2025, стр. 95-95.Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › тезисы › Рецензирование
}
TY - JOUR
T1 - Спин-решеточное взаимодействие ядер галлия в высокоомном кристалле GaAs
AU - Рочев, Андрей Михайлович
AU - Микушев, Владимир Михайлович
AU - Чарная, Елена Владимировна
AU - Нефедов, Денис Юрьевич
N1 - Conference code: XXXVII
PY - 2025/12/26
Y1 - 2025/12/26
N2 - Спин-решеточная релаксация ядер в кристаллах определяется аддитивными вкладами нескольких различных механизмов спин-фононного взаимодействия. В настоящем докладе представлены исследования подавления вклада дефектов в спин-фононную связь двух изотопов галлия 69Ga и 71Ga в высокоомном кристалле GaAs при стационарном магнитном насыщении ядерных спин-систем. Эксперименты проводились на спектрометре ядерного магнитного резонанса (ЯМР) Avance 400 производства Bruker с применением специально разработанной последовательности импульсов. Подавление дефектного вклада во взаимодействие ядерных спинов с колебаниями решетки проявляется в возрастании времени продольной релаксации обоих изотопов галлия. Предполагается, что основными дефектами, ответственными за вклад в спиновую релаксацию, являются центры EL2, содержащие ионы As на позициях галлия. При достаточно высоких температурах такие центры ведут себя как переориентирующиеся упругие диполи и генерируют локальные динамические градиенты электрических полей, взаимодействующих с ядерными квадрупольными моментами. Полученные результаты могут быть использованы для исследования собственных дефектов в реальных кристаллах арсенида галлия с применением промышленных спектрометров ЯМР.
AB - Спин-решеточная релаксация ядер в кристаллах определяется аддитивными вкладами нескольких различных механизмов спин-фононного взаимодействия. В настоящем докладе представлены исследования подавления вклада дефектов в спин-фононную связь двух изотопов галлия 69Ga и 71Ga в высокоомном кристалле GaAs при стационарном магнитном насыщении ядерных спин-систем. Эксперименты проводились на спектрометре ядерного магнитного резонанса (ЯМР) Avance 400 производства Bruker с применением специально разработанной последовательности импульсов. Подавление дефектного вклада во взаимодействие ядерных спинов с колебаниями решетки проявляется в возрастании времени продольной релаксации обоих изотопов галлия. Предполагается, что основными дефектами, ответственными за вклад в спиновую релаксацию, являются центры EL2, содержащие ионы As на позициях галлия. При достаточно высоких температурах такие центры ведут себя как переориентирующиеся упругие диполи и генерируют локальные динамические градиенты электрических полей, взаимодействующих с ядерными квадрупольными моментами. Полученные результаты могут быть использованы для исследования собственных дефектов в реальных кристаллах арсенида галлия с применением промышленных спектрометров ЯМР.
KW - магнитная квантовая акустика
KW - ядерное спин-фононное взаимодействие
KW - акустическое и магнитное насыщение линии ЯМР
KW - спин-решеточная релаксация
KW - EL2-центры
UR - https://elibrary.ru/item.asp?id=87712223
M3 - тезисы
VL - 71
SP - 95
EP - 95
JO - АКУСТИЧЕСКИЙ ЖУРНАЛ
JF - АКУСТИЧЕСКИЙ ЖУРНАЛ
SN - 0320-7919
IS - S5
T2 - XXXVII сессия Российского акустического общества<br/>
Y2 - 20 October 2025 through 24 October 2025
ER -
ID: 147106478