Standard

Спин-решеточное взаимодействие ядер галлия в высокоомном кристалле GaAs. / Рочев, Андрей Михайлович; Микушев, Владимир Михайлович; Чарная, Елена Владимировна; Нефедов, Денис Юрьевич.

в: АКУСТИЧЕСКИЙ ЖУРНАЛ, Том 71, № S5, 26.12.2025, стр. 95-95.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхтезисыРецензирование

Harvard

Рочев, АМ, Микушев, ВМ, Чарная, ЕВ & Нефедов, ДЮ 2025, 'Спин-решеточное взаимодействие ядер галлия в высокоомном кристалле GaAs', АКУСТИЧЕСКИЙ ЖУРНАЛ, Том. 71, № S5, стр. 95-95. <http://www.akzh.ru/pdf/2025_5_2.pdf>

APA

Рочев, А. М., Микушев, В. М., Чарная, Е. В., & Нефедов, Д. Ю. (2025). Спин-решеточное взаимодействие ядер галлия в высокоомном кристалле GaAs. АКУСТИЧЕСКИЙ ЖУРНАЛ, 71(S5), 95-95. http://www.akzh.ru/pdf/2025_5_2.pdf

Vancouver

Рочев АМ, Микушев ВМ, Чарная ЕВ, Нефедов ДЮ. Спин-решеточное взаимодействие ядер галлия в высокоомном кристалле GaAs. АКУСТИЧЕСКИЙ ЖУРНАЛ. 2025 Дек. 26;71(S5):95-95.

Author

Рочев, Андрей Михайлович ; Микушев, Владимир Михайлович ; Чарная, Елена Владимировна ; Нефедов, Денис Юрьевич. / Спин-решеточное взаимодействие ядер галлия в высокоомном кристалле GaAs. в: АКУСТИЧЕСКИЙ ЖУРНАЛ. 2025 ; Том 71, № S5. стр. 95-95.

BibTeX

@article{802377cf9631412aba7fd8b041ba1c0c,
title = "Спин-решеточное взаимодействие ядер галлия в высокоомном кристалле GaAs",
abstract = "Спин-решеточная релаксация ядер в кристаллах определяется аддитивными вкладами нескольких различных механизмов спин-фононного взаимодействия. В настоящем докладе представлены исследования подавления вклада дефектов в спин-фононную связь двух изотопов галлия 69Ga и 71Ga в высокоомном кристалле GaAs при стационарном магнитном насыщении ядерных спин-систем. Эксперименты проводились на спектрометре ядерного магнитного резонанса (ЯМР) Avance 400 производства Bruker с применением специально разработанной последовательности импульсов. Подавление дефектного вклада во взаимодействие ядерных спинов с колебаниями решетки проявляется в возрастании времени продольной релаксации обоих изотопов галлия. Предполагается, что основными дефектами, ответственными за вклад в спиновую релаксацию, являются центры EL2, содержащие ионы As на позициях галлия. При достаточно высоких температурах такие центры ведут себя как переориентирующиеся упругие диполи и генерируют локальные динамические градиенты электрических полей, взаимодействующих с ядерными квадрупольными моментами. Полученные результаты могут быть использованы для исследования собственных дефектов в реальных кристаллах арсенида галлия с применением промышленных спектрометров ЯМР.",
keywords = "магнитная квантовая акустика, ядерное спин-фононное взаимодействие, акустическое и магнитное насыщение линии ЯМР, спин-решеточная релаксация, EL2-центры",
author = "Рочев, {Андрей Михайлович} and Микушев, {Владимир Михайлович} and Чарная, {Елена Владимировна} and Нефедов, {Денис Юрьевич}",
note = "Спин-решеточное взаимодействие ядер галлия в высокоомном кристалле GaAs / А. М. Рочев, В. М. Микушев, Е. В. Чарная, Д. Ю. Нефедов // Акустический журнал. – 2025. – Т. 71, № S5. – С. 95. – EDN SPHCIG.; XXXVII сессия Российского акустического общества<br/>, XXXVII сессия РАО 2025 ; Conference date: 20-10-2025 Through 24-10-2025",
year = "2025",
month = dec,
day = "26",
language = "русский",
volume = "71",
pages = "95--95",
journal = "АКУСТИЧЕСКИЙ ЖУРНАЛ",
issn = "0320-7919",
publisher = "Издательство {"}Наука{"}",
number = "S5",
url = "http://http//rao.akin.ru, http://rao.akin.ru",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - Спин-решеточное взаимодействие ядер галлия в высокоомном кристалле GaAs

AU - Рочев, Андрей Михайлович

AU - Микушев, Владимир Михайлович

AU - Чарная, Елена Владимировна

AU - Нефедов, Денис Юрьевич

N1 - Conference code: XXXVII

PY - 2025/12/26

Y1 - 2025/12/26

N2 - Спин-решеточная релаксация ядер в кристаллах определяется аддитивными вкладами нескольких различных механизмов спин-фононного взаимодействия. В настоящем докладе представлены исследования подавления вклада дефектов в спин-фононную связь двух изотопов галлия 69Ga и 71Ga в высокоомном кристалле GaAs при стационарном магнитном насыщении ядерных спин-систем. Эксперименты проводились на спектрометре ядерного магнитного резонанса (ЯМР) Avance 400 производства Bruker с применением специально разработанной последовательности импульсов. Подавление дефектного вклада во взаимодействие ядерных спинов с колебаниями решетки проявляется в возрастании времени продольной релаксации обоих изотопов галлия. Предполагается, что основными дефектами, ответственными за вклад в спиновую релаксацию, являются центры EL2, содержащие ионы As на позициях галлия. При достаточно высоких температурах такие центры ведут себя как переориентирующиеся упругие диполи и генерируют локальные динамические градиенты электрических полей, взаимодействующих с ядерными квадрупольными моментами. Полученные результаты могут быть использованы для исследования собственных дефектов в реальных кристаллах арсенида галлия с применением промышленных спектрометров ЯМР.

AB - Спин-решеточная релаксация ядер в кристаллах определяется аддитивными вкладами нескольких различных механизмов спин-фононного взаимодействия. В настоящем докладе представлены исследования подавления вклада дефектов в спин-фононную связь двух изотопов галлия 69Ga и 71Ga в высокоомном кристалле GaAs при стационарном магнитном насыщении ядерных спин-систем. Эксперименты проводились на спектрометре ядерного магнитного резонанса (ЯМР) Avance 400 производства Bruker с применением специально разработанной последовательности импульсов. Подавление дефектного вклада во взаимодействие ядерных спинов с колебаниями решетки проявляется в возрастании времени продольной релаксации обоих изотопов галлия. Предполагается, что основными дефектами, ответственными за вклад в спиновую релаксацию, являются центры EL2, содержащие ионы As на позициях галлия. При достаточно высоких температурах такие центры ведут себя как переориентирующиеся упругие диполи и генерируют локальные динамические градиенты электрических полей, взаимодействующих с ядерными квадрупольными моментами. Полученные результаты могут быть использованы для исследования собственных дефектов в реальных кристаллах арсенида галлия с применением промышленных спектрометров ЯМР.

KW - магнитная квантовая акустика

KW - ядерное спин-фононное взаимодействие

KW - акустическое и магнитное насыщение линии ЯМР

KW - спин-решеточная релаксация

KW - EL2-центры

UR - https://elibrary.ru/item.asp?id=87712223

M3 - тезисы

VL - 71

SP - 95

EP - 95

JO - АКУСТИЧЕСКИЙ ЖУРНАЛ

JF - АКУСТИЧЕСКИЙ ЖУРНАЛ

SN - 0320-7919

IS - S5

T2 - XXXVII сессия Российского акустического общества<br/>

Y2 - 20 October 2025 through 24 October 2025

ER -

ID: 147106478