Эффективность взаимодействия тепловых фононов с ядерными спинами определяет скорость спин-решёточной релаксации ядер, которая регистрируется методами ядерного магнитного резонанса (ЯМР). В настоящей работе представлены исследования подавления вклада дефектов в спин-фононную связь двух изотопов галлия ⁶⁹Ga и ⁷¹Ga в чистом высокоомном кристалле GaAs при стационарном магнитном насыщении ядерных спин-систем. Эксперименты проводились на спектрометре ЯМР Bruker Avance 400 с применением специально разработанной последовательности импульсов. Восстановление намагниченности после инверсии наблюдалось в диапазоне температур от 80 до 300 К. Два основных вклада в релаксацию: первый, обусловленный сверхтонким взаимодействием с электронными центрами с участием спиновой диффузии, и второй, обусловленный спин-фононным взаимодействием в регулярной кристаллической решетке, были разделены путем подавления первого. Было обнаружено, что оба вклада в релаксацию имеют квадрупольную природу и соответствуют температурной зависимости, предсказанной для квадрупольной релаксации вследствие модуляции градиентов электрического поля на ядрах тепловыми фононами. Полученные результаты согласуются с предположением о том, что квадрупольная сверхтонкая связь доминирует для ядер, расположенных вблизи электронных центров, а также выполняется приближение быстрой спиновой диффузии.