TY - JOUR

T1 - Незаполненные электронные состояния ультратонких пленок фенолфталеина на поверхности ZnO, сформированного методом молекулярного наслаивания

AU - Комолов, Алексей Сергеевич

AU - Лазнева, Элеонора Федоровна

AU - Герасимова, Наталия Борисовна

AU - Соболев, Виталий Сергеевич

AU - Жижин, Евгений Владимирович

AU - Пудиков, Дмитрий Александрович

AU - Содылев, Руслан

AU - Пшеничнюк, С.А.

AU - Асфандиаров, Н.Л.

AU - Handke, B.

PY - 2022/6/12

Y1 - 2022/6/12

N2 - Приведены результаты исследования незаполненных электронных состояний ультратонких пленок молекул фенолфталеина на поверхности ZnO, приготовленной методом молекулярного наслаивания (atomic layer deposition). Проведена диагностика атомного состава слоя ZnO методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (XPS) и структуры дифракции методом рентгеновских лучей (X-ray diffraction). Обнаружено преобладание содержания атомов О на 5-10%, по сравнению с содержанием атомов Zn. Исследования электронных характеристик структуры ZnO/фенолфталеин проводили методом спектроскопии полного тока (TCS) в энергетическом диапазоне от 5 до 20 eV выше EF в процессе термического вакуумного осаждения пленок фенолфталеина толщиной до 8 nm. Структурной особенностью молекул фенолфталеина является наличие двух гидроксильных функциональных групп. Проведено сравнение TCS-результатов с TCS-результатами, полученными для пленок молекул, представляющих собой остов молекул фенолфталеина без гидроксильных групп. Максимумы тонкой структуры TCS пленок фенолфталеина, расположенные в энергетическом диапазоне от 5 до 8 eV выше EF можно связать с границами зон π* электронных состояний. Значения работы выхода поверхности ZnO, сформированной методом ALD, составили 4.2±0.1 eV. Осаждение пленки фенолфталеина привело к снижению работы выхода поверхности на 0.1 eV. Ключевые слова: фенолфталеин, ультратонкие пленки, ZnO, метод молекулярного наслаивания (atomic layer deposition), электронные свойства, низкоэнергетическая электронная спектроскопия, метод дифракции рентгеновских лучей (X-ray diffraction), рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия (XPS).

AB - Приведены результаты исследования незаполненных электронных состояний ультратонких пленок молекул фенолфталеина на поверхности ZnO, приготовленной методом молекулярного наслаивания (atomic layer deposition). Проведена диагностика атомного состава слоя ZnO методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (XPS) и структуры дифракции методом рентгеновских лучей (X-ray diffraction). Обнаружено преобладание содержания атомов О на 5-10%, по сравнению с содержанием атомов Zn. Исследования электронных характеристик структуры ZnO/фенолфталеин проводили методом спектроскопии полного тока (TCS) в энергетическом диапазоне от 5 до 20 eV выше EF в процессе термического вакуумного осаждения пленок фенолфталеина толщиной до 8 nm. Структурной особенностью молекул фенолфталеина является наличие двух гидроксильных функциональных групп. Проведено сравнение TCS-результатов с TCS-результатами, полученными для пленок молекул, представляющих собой остов молекул фенолфталеина без гидроксильных групп. Максимумы тонкой структуры TCS пленок фенолфталеина, расположенные в энергетическом диапазоне от 5 до 8 eV выше EF можно связать с границами зон π* электронных состояний. Значения работы выхода поверхности ZnO, сформированной методом ALD, составили 4.2±0.1 eV. Осаждение пленки фенолфталеина привело к снижению работы выхода поверхности на 0.1 eV. Ключевые слова: фенолфталеин, ультратонкие пленки, ZnO, метод молекулярного наслаивания (atomic layer deposition), электронные свойства, низкоэнергетическая электронная спектроскопия, метод дифракции рентгеновских лучей (X-ray diffraction), рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия (XPS).

KW - фенолфталеин, ультратонкие пленки, ZnO, метод молекулярного наслаивания (atomic layer deposition), электронные свойства, низкоэнергетическая электронная спектроскопия, метод дифракции рентгеновских лучей (X-ray diffraction), рентгеновская фотоэлектронная

KW - PHENOLPHTHALEIN

KW - ultrathin films

KW - ZNO

KW - atomic layer deposition

KW - electronic properties

KW - low-energy electron spectroscopy

KW - x-ray diffraction

KW - x-ray photoelectron spectroscopy

UR - https://www.elibrary.ru/item.asp?id=49375459

UR - https://journals.ioffe.ru/articles/53345

UR - https://www.mendeley.com/catalogue/3e83b32f-f1c2-321f-b70f-169ccc30e963/

U2 - 10.21883/FTT.2022.11.53345.399

DO - 10.21883/FTT.2022.11.53345.399

M3 - статья

VL - 64

SP - 1851

EP - 1855

JO - ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА

JF - ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА

SN - 0367-3294

IS - 11

ER -