Исследована кинетика близкраевой фотолюминесценции (ФЛ) в нанометровых пленках ZnO, полученных методом слоевого наслаивания (ALD). Установлено, что кинетика близкраевой ФЛ в 4-nm пленках в большой степени определяется поверхностными 2D-экситонными (SX) и биэкситонными (SXX) комплексами. Вклад поверхностных биэкситонов оценивается на основе фотостимулированного изменения поверхностного потенциала в пленках ZnO различной толщины. Обнаружена ультрабыстрая динамика поверхностных биэкситонов в тонких пленках. Показано, что биэкситоны, локализованные вблизи поверхности, имеют самое короткое излучательное время жизни (менее 100 ps) из всех связанных экситонных комплексов, что объясняется большой силой осциллятора. Сотрудники СПбГУ выражают благодарность РФФИ за финансовую поддержку (N гранта 18-03-00754).