В результате проведенных исследований обнаружено полное перемешивание слоев вольфрама и бериллия в многослойной системе W/Be с периодом 2.5 нм, что привело к формированию двух бериллидов, с большим и малым отношением Be:W. В случае структуры с более протяженным периодом (3.2 нм), помимо бериллидов, также обнаружено присутствие элементного бериллия. Отжиг систем при температуре 300˚C в течение 20 часов в атмосфере аргона привел к существенному перераспределению сформированных соединений: увеличению бериллида с малым отношением Be:W, относительно остальных соединений. Установлено, что в системах с тонкими барьерными слоями B4C или Si присутствуют соединения BeCx, WBx и WSix. В случае многослойных структур, в которых барьерный слой наносился на слой бериллия, отжиг не приводит к существенному перераспределению состояний, в то время как для систем с противоположным порядком напыления барьерных слоев (на вольфрам) произошло заметное увеличение бериллида с малым отношенийем Be:W, но при этом в меньшей степени, в сравнении с исходными системами