Получен новый слоистый магнитный топологический изолятор состава MnBi0.5Sb1.5Te4. Исследована электропроводность в плоскости слоев и в направлении перпендикулярном слоям в области температур 1.4-300 K. Обнаружено, что в обоих направлениях в интервале температур 50-300 K наблюдается "металлический" характер температурной зависимости удельного сопротивления rho(T). Ниже температуры T=50 K величина rho возрастает и демонстрирует нетривиальную температурную зависимость с особенностью в области критической температуры Tc=23 K. Возрастание сопротивления в температурном интервале 50-23 K обусловлено спиновыми флуктуациями и магнитным фазовым переходом. Ниже Tc и вплоть до 1.4 K rho(T) демонстрирует поведение характерное для эффекта слабой локализации, что подтверждается анализом данных, полученных при исследовании магнитосопротивления. Ключевые слова: топологические изоляторы, удельное сопротивление, фазовые переходы, слабая локализация, магнитосопротивление, слоистые кристаллы.