В кинетике люминесценции полупроводниковых наноструктур с квантовыми точками InP, характеризуемыми большим неоднородным уширением оптических переходов, экспериментально наблюдены квантовые биения различного типа. Для выделения биений определенного типа варьировались внешние условия: величина и ориентация магнитного поля, электрическое напряжение, прикладываемое к образцу, а также частоты возбуждающего и регистрируемого излучения. По результатам экспериментов определены параметры тонкой структуры электронов и дырок в исследуемой системе и характерные времена релаксации спиновой когерентности.