Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование
Эпитаксиальный рост оксида цинка методом молекулярного наслаивания на подложках SiC/Si. / Романычев, Андрей Иванович.
в: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА, Том 58, № 7, 2016, стр. 1398-1402.Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование
}
TY - JOUR
T1 - Эпитаксиальный рост оксида цинка методом молекулярного наслаивания на подложках SiC/Si
AU - Романычев, Андрей Иванович
PY - 2016
Y1 - 2016
N2 - Впервые выращены эпитаксиальные пленки оксида цинка на кремнии методом молекулярного наслаиванияпри T = 250◦C. Для того чтобы избежать химической реакции между кремнием и оксидом цинка (константареакции при температуре роста имеет порядок 1022), на поверхности кремния предварительно былсинтезирован методом химического замещения атомов высококачественный буферный слой карбида кремниятолщиной 50 nm. Для роста пленок оксида цинка использовались пластины кремния ориентации (100)n- и p-типа проводимости. Эллипсометрический, рамановский, электронографический и микроэлементныйанализы показали, что пленки ZnO являются эпитаксиальными.
AB - Впервые выращены эпитаксиальные пленки оксида цинка на кремнии методом молекулярного наслаиванияпри T = 250◦C. Для того чтобы избежать химической реакции между кремнием и оксидом цинка (константареакции при температуре роста имеет порядок 1022), на поверхности кремния предварительно былсинтезирован методом химического замещения атомов высококачественный буферный слой карбида кремниятолщиной 50 nm. Для роста пленок оксида цинка использовались пластины кремния ориентации (100)n- и p-типа проводимости. Эллипсометрический, рамановский, электронографический и микроэлементныйанализы показали, что пленки ZnO являются эпитаксиальными.
M3 - статья
VL - 58
SP - 1398
EP - 1402
JO - ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА
JF - ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА
SN - 0367-3294
IS - 7
ER -
ID: 45904664