С использованием методов фотоэлектронной спектроскопии с угловым разрешением экспериментально исследовано влияние интеркаляции атомов марганца на электронную структуру графена, сформированного на подложках Au/Co(0001)/W(110) и SiC(0001). Для обеих систем методом ультрафиолетовой фотоэлектронной спектроскопии получены дисперсионные зависимости π-состояний графена в K-точке зоны Бриллюэна, на которых наблюдаются сдвиги конуса Дирака при интеркаляции атомов марганца и последующих прогревах систем. Методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии изучена структура приповерхностных слоев сформированных систем. Анализ линий остовных уровней указывает на возможность формирования тонкого слоя сплава Mn2Au на границе графен-Mn-Au и квазидвумерного слоя Mn под графеном на подложке SiC. Подробное исследование графена на SiC методом спектроскопии комбинационного рассеяния света показало, что при интеркаляции такой системы атомами Mn буферный слой остается связанным с подложкой и не происходит его превращения в дополнительный слой графена. После интеркаляции наблюдается увеличение количества дефектов в кристаллической решетке графена.