Приведены результаты исследования незаполненных электронных состояний и формирования пограничного потенциального барьера при термическом вакуумном осаждении ультратонких пленок кремния 4-кватерфенила на поверхности CdS и на поверхности окисленного кремния. Методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (XPS) установлено, что атомные концентрации Cd и S являлись одинаковыми в составе поверхности слоя CdS толщиной 75 nm, сформированного методом молекулярного наслаивания (ALD - atomic layer deposition). Исследования электронных характеристик пленок 4-кватерфенила, толщиной до 8 nm, проводили в процессе их осаждения на поверхность сформированного слоя CdS и на поверхность окисленного кремния методом спектроскопии полного тока (TCS) в энергетическом диапазоне от 5 до 20 eV выше EF. Установлено энергетическое расположение основных максимумов тонкой структуры спектров полного тока (ТССПТ) пленок 4-кватерфенила. Расположение максимумов воспроизводимо при использовании двух выбранных материалов подложек. Установлено незначительное снижение работы выхода, от 4.2 до 4.1 eV, в процессе термического осаждения 4-кватерфенила на поверхность CdS. При осаждении пленки 4-кватерфенила на поверхность окисленного обнаружено повышение значений работы выхода от 4.2 до 4.5 eV. Обсуждаются возможные механизмы физико-химического взаимодействия между пленкой 4-кватерфенила и поверхностью исследованных подложек, приводящие к различию наблюдаемых значений работы выхода пленок на этих подложках. Ключевые слова: олигомеры фенилена, 4-кватерфенил, ультратонкие пленки, CdS-метод молекулярного наслаивания (ALD - atomic layer deposition), электронные свойства, низкоэнергетическая электронная спектроскопия, рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия (XPS).
