Standard

Влияние компонентного состава и деформаций на расщепление ядерных спиновых состояний в (In,As)Ga/GaAs квантовой точке. / Соколов, П. С.; Петров, М. Ю.

Труды XIX Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». 2015. стр. 654-655.

Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции

Harvard

Соколов, ПС & Петров, МЮ 2015, Влияние компонентного состава и деформаций на расщепление ядерных спиновых состояний в (In,As)Ga/GaAs квантовой точке. в Труды XIX Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». стр. 654-655.

APA

Соколов, П. С., & Петров, М. Ю. (2015). Влияние компонентного состава и деформаций на расщепление ядерных спиновых состояний в (In,As)Ga/GaAs квантовой точке. в Труды XIX Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника» (стр. 654-655)

Vancouver

Соколов ПС, Петров МЮ. Влияние компонентного состава и деформаций на расщепление ядерных спиновых состояний в (In,As)Ga/GaAs квантовой точке. в Труды XIX Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». 2015. стр. 654-655

Author

Соколов, П. С. ; Петров, М. Ю. / Влияние компонентного состава и деформаций на расщепление ядерных спиновых состояний в (In,As)Ga/GaAs квантовой точке. Труды XIX Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». 2015. стр. 654-655

BibTeX

@inproceedings{12b92aac24c44a3bb622676049bf9179,
title = "Влияние компонентного состава и деформаций на расщепление ядерных спиновых состояний в (In,As)Ga/GaAs квантовой точке",
abstract = "Вычислены тензоры деформаций Коши–Грина и градиента электрического поля одиночной (In,As)Ga/GaAs квантовой точки путѐм обработки изображения просвечивающей электронной микроскопии с использованием метода геометрического фазового анализа. Разработана модель, позволяющая определить величину квадрупольного и зеемановского расщеплений ядерных спиновых состояний в напряженной квантовой точке. Смоделированные спектры ядерного магнитного резонанса использованы для оценки величины неоднородного уширения и нахождения запрещенных переходов в квантовой точке (In,As)Ga/GaAs в присутствии внешнего магнитного поля.",
author = "Соколов, {П. С.} and Петров, {М. Ю.}",
year = "2015",
language = "не определен",
pages = "654--655",
booktitle = "Труды XIX Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника»",

}

RIS

TY - GEN

T1 - Влияние компонентного состава и деформаций на расщепление ядерных спиновых состояний в (In,As)Ga/GaAs квантовой точке

AU - Соколов, П. С.

AU - Петров, М. Ю.

PY - 2015

Y1 - 2015

N2 - Вычислены тензоры деформаций Коши–Грина и градиента электрического поля одиночной (In,As)Ga/GaAs квантовой точки путѐм обработки изображения просвечивающей электронной микроскопии с использованием метода геометрического фазового анализа. Разработана модель, позволяющая определить величину квадрупольного и зеемановского расщеплений ядерных спиновых состояний в напряженной квантовой точке. Смоделированные спектры ядерного магнитного резонанса использованы для оценки величины неоднородного уширения и нахождения запрещенных переходов в квантовой точке (In,As)Ga/GaAs в присутствии внешнего магнитного поля.

AB - Вычислены тензоры деформаций Коши–Грина и градиента электрического поля одиночной (In,As)Ga/GaAs квантовой точки путѐм обработки изображения просвечивающей электронной микроскопии с использованием метода геометрического фазового анализа. Разработана модель, позволяющая определить величину квадрупольного и зеемановского расщеплений ядерных спиновых состояний в напряженной квантовой точке. Смоделированные спектры ядерного магнитного резонанса использованы для оценки величины неоднородного уширения и нахождения запрещенных переходов в квантовой точке (In,As)Ga/GaAs в присутствии внешнего магнитного поля.

M3 - статья в сборнике материалов конференции

SP - 654

EP - 655

BT - Труды XIX Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника»

ER -

ID: 4748952