Результаты исследований: Книги, отчёты, сборники › отчёт/доклад
Отчет по теме: ФОТОНИКА И СПИНТРОНИКА НИЗКОРАЗМЕРНЫХ КОНДЕНСИРОВАННЫХ СРЕД ДЛЯ ИНФОРМАЦИОННЫХ ТЕХНОЛОГИЙ по государственному контракту от «7» июля 2009г. № 02.740.11.0214. Шифр заявки «2009-1.1-121-051-030» (итоговый, этап № 5) Наименование этапа: «Поиск низкоразмерных конденсированных систем с оптимизированными параметрами и разработка концепции создания новых сред для информационных технологий». / Цыганенко, Алексей Алексеевич; Игнатьев, Иван Владимирович; Коротков, Валентин Иванович; Чижов, Юрий Владимирович.
Издательский Центр «Академия», 2011.Результаты исследований: Книги, отчёты, сборники › отчёт/доклад
}
TY - BOOK
T1 - Отчет по теме: ФОТОНИКА И СПИНТРОНИКА НИЗКОРАЗМЕРНЫХ КОНДЕНСИРОВАННЫХ СРЕД ДЛЯ ИНФОРМАЦИОННЫХ ТЕХНОЛОГИЙ по государственному контракту от «7» июля 2009г. № 02.740.11.0214. Шифр заявки «2009-1.1-121-051-030» (итоговый, этап № 5) Наименование этапа: «Поиск низкоразмерных конденсированных систем с оптимизированными параметрами и разработка концепции создания новых сред для информационных технологий»
AU - Цыганенко, Алексей Алексеевич
AU - Игнатьев, Иван Владимирович
AU - Коротков, Валентин Иванович
AU - Чижов, Юрий Владимирович
PY - 2011
Y1 - 2011
N2 - Выполнен цикл исследований поляритонных и спиновых состояний в квантовых ямах. Предложен и реализован метод прямого определения толщины «мёртвого слоя» в полупро-водниковой наноструктуре GaAs/AlGaAs. Экспериментально обнаружен аномальный рост ве-личины Зеемановского расщепления поляритонных мод в толстом слое GaAs с увеличением номера моды. Предложен и реализован способ латеральной локализации носителей в GaAs квантовой яме с помощью мозаичного электрода, нанесенного на поверхность образца. Разработана теория, позволяющая дать полное описание экспериментов по наблюдению эффектов эллиптичности и вращения Фарадея и Керра на разных типах полупроводниковых наноструктур. С использованием указанных методов исследована динамика спиновой коге-рентности и определены времена спиновой релаксации электронов и дырок в n-легированных GaInAs/GaAs квантовых ямах. Для n-легированных квантовых точек определены времена нарастания и распада продоль-ной и поперечной компонент динамической ядерной поляризации как функция магнитног
AB - Выполнен цикл исследований поляритонных и спиновых состояний в квантовых ямах. Предложен и реализован метод прямого определения толщины «мёртвого слоя» в полупро-водниковой наноструктуре GaAs/AlGaAs. Экспериментально обнаружен аномальный рост ве-личины Зеемановского расщепления поляритонных мод в толстом слое GaAs с увеличением номера моды. Предложен и реализован способ латеральной локализации носителей в GaAs квантовой яме с помощью мозаичного электрода, нанесенного на поверхность образца. Разработана теория, позволяющая дать полное описание экспериментов по наблюдению эффектов эллиптичности и вращения Фарадея и Керра на разных типах полупроводниковых наноструктур. С использованием указанных методов исследована динамика спиновой коге-рентности и определены времена спиновой релаксации электронов и дырок в n-легированных GaInAs/GaAs квантовых ямах. Для n-легированных квантовых точек определены времена нарастания и распада продоль-ной и поперечной компонент динамической ядерной поляризации как функция магнитног
KW - ИНФОРМАЦИОННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ
KW - ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ
KW - КВАНТОВЫЕ ЯМЫ
KW - КВАНТОВЫЕ ТОЧКИ
KW - РЕЗИДЕНТНЫЕ НОСИТЕЛИ
KW - СПИНОВАЯ ПАМЯТЬ
KW - КВАНТОВОХИМИЧЕСКИЕ РАСЧЕТЫ
KW - НАНОКЛАСТЕРЫ
KW - ВОДОРОДНАЯ СВЯЗЬ
KW - ИЗОМЕРИЯ СВЯЗЫВАНИЯ
KW - АДСОРБЦИЯ
KW - ПОВЕРХНОСТЬ
KW - ИК-СПЕКТРОСКОПИЯ
KW - ПЕРЕНОС ЭНЕРГИИ
KW - ЛЮМИ-НЕСЦЕНЦИЯ
KW - ОРГАНИЧЕСКИЕ КРИСТАЛЛЫ
KW - ИНТЕРКОНВЕРСИЯ
M3 - отчёт/доклад
BT - Отчет по теме: ФОТОНИКА И СПИНТРОНИКА НИЗКОРАЗМЕРНЫХ КОНДЕНСИРОВАННЫХ СРЕД ДЛЯ ИНФОРМАЦИОННЫХ ТЕХНОЛОГИЙ по государственному контракту от «7» июля 2009г. № 02.740.11.0214. Шифр заявки «2009-1.1-121-051-030» (итоговый, этап № 5) Наименование этапа: «Поиск низкоразмерных конденсированных систем с оптимизированными параметрами и разработка концепции создания новых сред для информационных технологий»
PB - Издательский Центр «Академия»
ER -
ID: 4300118