Создание устройств многоуровневойрезистивной памяти на основе нанослоевых мемристивных композиций с тонкими сегнетоэлектрическими (СЭ) пленками, в которых переключение сопротивления обусловлено комбинацией эффектов, связанных с влиянием интерфейсных областей, состояния поляризации, процессов транспорта заряда, а также особенностей микроскопических характеристик наноструктур, требует разработки новых экспериментальных подходов к изучению локальных электрофизических свойств. Одним из наиболее распространенных способов исследования локальных электрофизических свойств является использование различных методов атомно-силовой микроскопии (АСМ), включая метод зонда Кельвина, туннельную атомно-силовую микроскопию и атомно-силовую микроскопию пьезоотклика. Основной причиной перехода от методик АСМ к методикам сканирующей туннельной микроскопии (СТМ) при исследовании локальных резистивных свойств мемристивных композиций с СЭ пленками является необходимость стабилизации контакта зонда с образцом. Основным препятствиям на пути эффективного использования методик АСМ для исследования локальных СЭ свойств в нанослоевых мемристивных композициях с тонкими СЭ пленками является возникновение градиента деформации в процессе сканирования, приводящего к вкладу флексоэлектрического эффекта, а также непосредственно прямого пьезоэффекта в результаты измерений. В работе была разработана методика исследования локальных СЭ свойств с использованием СТМ и спектроскопического (СТС) режимов в условиях сверхвысокого вакуума. Суть предлагаемого подхода сводится к выявлению вклада поляризационных зарядов, а также особенностей их экранирования на поверхности СЭ пленки в результаты СТС-из-мерений при разной ориентации поляризации в СЭ пленке. В комбинации с СТМ-измерениями локальных морфологических особенностей анализ экспериментальных результатов позволяет идентифицировать состояние СЭ поляризации, определить вклад особенностей экранирования поляризационных зарядов на поверхности СЭ пленки в проявление мемристивных эффектов, а также исследовать корреляцию между локальными резистивными и СЭ свойствами в нано-слоевых мемристивных композициях с тонкими СЭ пленками.
