Standard

Эффект поля в тонких пленках полупроводников с кейновским законом дисперсии носителей заряда. / Дубицкий, И.С.; Яфясов, А. М.

в: ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ, Том 48, № 3, 2014, стр. 327-333.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

Harvard

Дубицкий, ИС & Яфясов, АМ 2014, 'Эффект поля в тонких пленках полупроводников с кейновским законом дисперсии носителей заряда', ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ, Том. 48, № 3, стр. 327-333.

APA

Vancouver

Author

Дубицкий, И.С. ; Яфясов, А. М. / Эффект поля в тонких пленках полупроводников с кейновским законом дисперсии носителей заряда. в: ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ. 2014 ; Том 48, № 3. стр. 327-333.

BibTeX

@article{74326627fae944f9917fb9d36f08c3bd,
title = "Эффект поля в тонких пленках полупроводников с кейновским законом дисперсии носителей заряда",
abstract = "Предложена методика расчета параметров области пространственного заряда тонких пленок полупро- водников с кейновским законом дисперсии носителей заряда при комнатных температурах. Реализована процедура самосогласованного решения уравнений Пуассона, Клейна–Гордона–Фока и Шредингера для соединения кадмий-ртуть-теллур. Получены точные подзонные законы дисперсии. Обнаружены явления линеаризации хода потенциала в тонких пленках и установлены границы применимости приближения треугольной ямы. Проведено сравнение хода потенциала в пленке, плотности заряда и вольт-фарадных характеристик, вычисленных в рамках приближения эффективной массы и феноменологической теории. Установлены границы применимости феноменологического описания области пространственного заряда. Выявлено влияние подсистемы тяжелых дырок на основные характеристики области пространственного заряда.",
author = "И.С. Дубицкий and Яфясов, {А. М.}",
year = "2014",
language = "не определен",
volume = "48",
pages = "327--333",
journal = "ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ",
issn = "0015-3222",
publisher = "Издательство {"}Наука{"}",
number = "3",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - Эффект поля в тонких пленках полупроводников с кейновским законом дисперсии носителей заряда

AU - Дубицкий, И.С.

AU - Яфясов, А. М.

PY - 2014

Y1 - 2014

N2 - Предложена методика расчета параметров области пространственного заряда тонких пленок полупро- водников с кейновским законом дисперсии носителей заряда при комнатных температурах. Реализована процедура самосогласованного решения уравнений Пуассона, Клейна–Гордона–Фока и Шредингера для соединения кадмий-ртуть-теллур. Получены точные подзонные законы дисперсии. Обнаружены явления линеаризации хода потенциала в тонких пленках и установлены границы применимости приближения треугольной ямы. Проведено сравнение хода потенциала в пленке, плотности заряда и вольт-фарадных характеристик, вычисленных в рамках приближения эффективной массы и феноменологической теории. Установлены границы применимости феноменологического описания области пространственного заряда. Выявлено влияние подсистемы тяжелых дырок на основные характеристики области пространственного заряда.

AB - Предложена методика расчета параметров области пространственного заряда тонких пленок полупро- водников с кейновским законом дисперсии носителей заряда при комнатных температурах. Реализована процедура самосогласованного решения уравнений Пуассона, Клейна–Гордона–Фока и Шредингера для соединения кадмий-ртуть-теллур. Получены точные подзонные законы дисперсии. Обнаружены явления линеаризации хода потенциала в тонких пленках и установлены границы применимости приближения треугольной ямы. Проведено сравнение хода потенциала в пленке, плотности заряда и вольт-фарадных характеристик, вычисленных в рамках приближения эффективной массы и феноменологической теории. Установлены границы применимости феноменологического описания области пространственного заряда. Выявлено влияние подсистемы тяжелых дырок на основные характеристики области пространственного заряда.

M3 - статья

VL - 48

SP - 327

EP - 333

JO - ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ

JF - ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ

SN - 0015-3222

IS - 3

ER -

ID: 5692100