Проведено теоретическое рассмотрение уменьшения продольно-поперечного расщепления экситона в широкой квантовой яме GaAs/AlGaAs под действием однородного электрического поля. Определены зависимости его величины от приложенного поля. Рассчитаны экситонные спектры отражения широкой
квантовой ямы для конфигурации, в которой поле направленно поперек слоя ямы. Продемонстрировано уменьшение амплитуды спектральных осцилляций, обусловленных вкладом экситона, из-за уменьшения светоэкситонного взаимодействия.