Построена микроскопическая модель образования сплава на интерфейсе, учитывающая обмен атомов с атомами подложки и всплывание последних в верхние слои в процессе эпитаксиального роста. Самосогласованные расчеты атомных магнитных моментов получающихся при этом пространственно-неоднородных структур используются при интерпретации данных мессбауэровской спектроскопии. Предложенный сценарий перемешивания приводит к появлению выделенного направления в образце и асимметрии интерфейсов в направлении эпитаксиального роста. В многослойных системах М₁/M₂(М_1,2 = Fe, Cr, V, Sn, Ag) эта асимметрия позволяет понять различие магнитного поведения интерфейсов M₁ на M₂ и M₂ на M₁, наблюдаемое экспериментально. Корреляция между рассчитанными распределениями магнитных моментов и измеренными распределениями сверхтонких полей на атомах железа подтверждает предположение об их пропорциональности для широкого класса металлических многослойных сис