Standard

Модификация электронной структуры графена в контакте с тяжёлыми и магнитными металлами. / Гогина, А.А.; Рыбкин, А.Г.; Печата, Л.; Ди Санто, Г.; Шикин, А.М.; Климовских, И.И.

Нанофизика и наноэлектроника: Труды XXIV Международного симпозиума. В 2 т.. Том 1 Нижний Новгород : Издательство Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, 2020. стр. 169-170.

Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная

Harvard

Гогина, АА, Рыбкин, АГ, Печата, Л, Ди Санто, Г, Шикин, АМ & Климовских, ИИ 2020, Модификация электронной структуры графена в контакте с тяжёлыми и магнитными металлами. в Нанофизика и наноэлектроника: Труды XXIV Международного симпозиума. В 2 т.. Том. 1, Издательство Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, стр. 169-170, XXIV Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород, Российская Федерация, 10/03/20.

APA

Гогина, А. А., Рыбкин, А. Г., Печата, Л., Ди Санто, Г., Шикин, А. М., & Климовских, И. И. (2020). Модификация электронной структуры графена в контакте с тяжёлыми и магнитными металлами. в Нанофизика и наноэлектроника: Труды XXIV Международного симпозиума. В 2 т. (Том 1, стр. 169-170). Издательство Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского.

Vancouver

Гогина АА, Рыбкин АГ, Печата Л, Ди Санто Г, Шикин АМ, Климовских ИИ. Модификация электронной структуры графена в контакте с тяжёлыми и магнитными металлами. в Нанофизика и наноэлектроника: Труды XXIV Международного симпозиума. В 2 т.. Том 1. Нижний Новгород: Издательство Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского. 2020. стр. 169-170

Author

Гогина, А.А. ; Рыбкин, А.Г. ; Печата, Л. ; Ди Санто, Г. ; Шикин, А.М. ; Климовских, И.И. / Модификация электронной структуры графена в контакте с тяжёлыми и магнитными металлами. Нанофизика и наноэлектроника: Труды XXIV Международного симпозиума. В 2 т.. Том 1 Нижний Новгород : Издательство Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, 2020. стр. 169-170

BibTeX

@inproceedings{6a8bcca7504d4b18bdcf6342053ae041,
title = "Модификация электронной структуры графена в контакте с тяжёлыми и магнитными металлами",
abstract = "Данная работа посвящена экспериментальному изучению электронной структуры эпитаксиального графена на подложкеSiC(0001), интеркалированного атомами Mn, и СVD–графена на подложке кобальта после интеркаляции атомами Au и Mn. ",
author = "А.А. Гогина and А.Г. Рыбкин and Л. Печата and {Ди Санто}, Г. and А.М. Шикин and И.И. Климовских",
year = "2020",
month = mar,
day = "10",
language = "русский",
isbn = "9785913265876",
volume = "1",
pages = "169--170",
booktitle = "Нанофизика и наноэлектроника",
publisher = "Издательство Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского",
address = "Российская Федерация",
note = "XXIV Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника» ; Conference date: 10-03-2020 Through 13-03-2020",

}

RIS

TY - GEN

T1 - Модификация электронной структуры графена в контакте с тяжёлыми и магнитными металлами

AU - Гогина, А.А.

AU - Рыбкин, А.Г.

AU - Печата, Л.

AU - Ди Санто, Г.

AU - Шикин, А.М.

AU - Климовских, И.И.

PY - 2020/3/10

Y1 - 2020/3/10

N2 - Данная работа посвящена экспериментальному изучению электронной структуры эпитаксиального графена на подложкеSiC(0001), интеркалированного атомами Mn, и СVD–графена на подложке кобальта после интеркаляции атомами Au и Mn.

AB - Данная работа посвящена экспериментальному изучению электронной структуры эпитаксиального графена на подложкеSiC(0001), интеркалированного атомами Mn, и СVD–графена на подложке кобальта после интеркаляции атомами Au и Mn.

UR - https://nanosymp.ru/ru/archive

M3 - статья в сборнике материалов конференции

SN - 9785913265876

VL - 1

SP - 169

EP - 170

BT - Нанофизика и наноэлектроника

PB - Издательство Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского

CY - Нижний Новгород

T2 - XXIV Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника»

Y2 - 10 March 2020 through 13 March 2020

ER -

ID: 62501627