Standard

Математическое моделирование двумерной диодной системы с полевым эмиттером лезвийной формы. / Виноградова, Е.М.; Доронин, Г.Г.; Егоров, Н.В.

в: ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ, Том 90, № 4, 2020, стр. 540-543.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

Harvard

APA

Vancouver

Author

BibTeX

@article{e6694a764fa94762a59e15978fceb901,
title = "Математическое моделирование двумерной диодной системы с полевым эмиттером лезвийной формы",
abstract = "Представлено вычисление распределения электростатического потенциала в двумерной диодной эмиссионной системе с полевым эмиттером лезвийной формы на плоской подложке. Анод --- плоскость, параллельная подложке. Для вычисления распределения потенциала влияние эмиттера заменено влиянием заряженной нити, так что нулевая эквипотенциаль представляет собой поверхность эмиттера. Для решения граничной задачи использован метод разделения переменных в декартовых координатах. Все геометрические размеры системы являются параметрами задачи. Ключевые слова: микро- и наноэлектроника, полевой эмиттер, математическое моделирование, электростатический потенциал, граничная задача.",
author = "Е.М. Виноградова and Г.Г. Доронин and Н.В. Егоров",
year = "2020",
language = "русский",
volume = "90",
pages = "540--543",
journal = "ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ",
issn = "0044-4642",
publisher = "ФТИ им.Иоффе",
number = "4",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - Математическое моделирование двумерной диодной системы с полевым эмиттером лезвийной формы

AU - Виноградова, Е.М.

AU - Доронин, Г.Г.

AU - Егоров, Н.В.

PY - 2020

Y1 - 2020

N2 - Представлено вычисление распределения электростатического потенциала в двумерной диодной эмиссионной системе с полевым эмиттером лезвийной формы на плоской подложке. Анод --- плоскость, параллельная подложке. Для вычисления распределения потенциала влияние эмиттера заменено влиянием заряженной нити, так что нулевая эквипотенциаль представляет собой поверхность эмиттера. Для решения граничной задачи использован метод разделения переменных в декартовых координатах. Все геометрические размеры системы являются параметрами задачи. Ключевые слова: микро- и наноэлектроника, полевой эмиттер, математическое моделирование, электростатический потенциал, граничная задача.

AB - Представлено вычисление распределения электростатического потенциала в двумерной диодной эмиссионной системе с полевым эмиттером лезвийной формы на плоской подложке. Анод --- плоскость, параллельная подложке. Для вычисления распределения потенциала влияние эмиттера заменено влиянием заряженной нити, так что нулевая эквипотенциаль представляет собой поверхность эмиттера. Для решения граничной задачи использован метод разделения переменных в декартовых координатах. Все геометрические размеры системы являются параметрами задачи. Ключевые слова: микро- и наноэлектроника, полевой эмиттер, математическое моделирование, электростатический потенциал, граничная задача.

M3 - статья

VL - 90

SP - 540

EP - 543

JO - ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ

JF - ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ

SN - 0044-4642

IS - 4

ER -

ID: 52381610