Standard

Влияние вынужденного излучения на распределение молекул СО по колебательным уровням. / Григорьян, Г.М.; Кочетов, И.В.

в: КВАНТОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА, Том 38, № 10, 2008, стр. 940 - 944.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Harvard

Григорьян, ГМ & Кочетов, ИВ 2008, 'Влияние вынужденного излучения на распределение молекул СО по колебательным уровням', КВАНТОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА, Том. 38, № 10, стр. 940 - 944.

APA

Григорьян, Г. М., & Кочетов, И. В. (2008). Влияние вынужденного излучения на распределение молекул СО по колебательным уровням. КВАНТОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА, 38(10), 940 - 944.

Vancouver

Григорьян ГМ, Кочетов ИВ. Влияние вынужденного излучения на распределение молекул СО по колебательным уровням. КВАНТОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА. 2008;38(10):940 - 944.

Author

Григорьян, Г.М. ; Кочетов, И.В. / Влияние вынужденного излучения на распределение молекул СО по колебательным уровням. в: КВАНТОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА. 2008 ; Том 38, № 10. стр. 940 - 944.

BibTeX

@article{d33bf2ba216a4032acb0ab55bb854c7a,
title = "Влияние вынужденного излучения на распределение молекул СО по колебательным уровням",
author = "Г.М. Григорьян and И.В. Кочетов",
year = "2008",
language = "не определен",
volume = "38",
pages = "940 -- 944",
journal = "КВАНТОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА",
issn = "0368-7147",
publisher = "Российская академия наук",
number = "10",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - Влияние вынужденного излучения на распределение молекул СО по колебательным уровням

AU - Григорьян, Г.М.

AU - Кочетов, И.В.

PY - 2008

Y1 - 2008

M3 - статья

VL - 38

SP - 940

EP - 944

JO - КВАНТОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА

JF - КВАНТОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА

SN - 0368-7147

IS - 10

ER -

ID: 5314140