Показано, что путем электрохимической модификации состава твердого раствора кадмий-ртуть-теллур могут быть сформированы гетероструктуры, обладающие совершенной границей раздела с малым числом локализованных электронных состояний. Такие структуры могут быть использованы в качестве фотоприемников и фотопреобразователей, обладающих высокой чувствительностью в ИК-области спектра.

It is shown that heterostructures with perfect interface and small quantity of localized electronic states may be formed by way of the electrochemical modification of the solid solution cadmium-mercury-tellurium composition. Those structures may be used as photoele-ments and phototransformers with high photosensitivity in IR-spectral region.

Переведенное названиеForming of heterostructures on the base of cadmium-mercury-tellurium combinations in the semiconductor-electrolyte system
Язык оригиналарусский
Страницы (с-по)98-102
ЖурналПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА
Номер выпуска5
СостояниеОпубликовано - 2005

ID: 5391802