Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование
Формирование и легирование литием графена на поверхности силицида кобальта. / Усачёв, Д.Ю.; Фёдоров, А.В.; Вилков, О.Ю.; Ерофеевская, А.В.; Вопилов, А.С.; Адамчук, В.К.; Вялых, Д.В.
в: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА, Том 57, № 5, 2015, стр. 1024-1030.Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование
}
TY - JOUR
T1 - Формирование и легирование литием графена на поверхности силицида кобальта
AU - Усачёв, Д.Ю.
AU - Фёдоров, А.В.
AU - Вилков, О.Ю.
AU - Ерофеевская, А.В.
AU - Вопилов, А.С.
AU - Адамчук, В.К.
AU - Вялых, Д.В.
PY - 2015
Y1 - 2015
N2 - Методами фотоэлектронной спектроскопии изучен процесс интеркаляции кремния под графен на поверхности Co(0001), сопровождающийся образованием твердого раствора кремния в кобальте и формированием поверхностной кристаллической фазы Co 2 Si. Показано, что образование силицида приводит к существенному ослаблению гибридизации электронных состояний графена и кобальта и восстановлению дираковского спектра электронных состояний графена вблизи уровня Ферми. Последнее позволило изучить процесс электронного допирования графена на подложке силицида кобальта при осаждении лития на его поверхность. Обнаружено, что легирование литием приводит к значительному переносу заряда на графен. При этом концентрация электронов достигает 3.1E14 1/cm. Более того, особая форма поверхности Ферми создает благоприятные условия для усиления электрон-фононного взаимодействия, благодаря чему сформированная система может рассматриваться в качестве кандидата для получения сверхпроводимости в однослойном графене.
AB - Методами фотоэлектронной спектроскопии изучен процесс интеркаляции кремния под графен на поверхности Co(0001), сопровождающийся образованием твердого раствора кремния в кобальте и формированием поверхностной кристаллической фазы Co 2 Si. Показано, что образование силицида приводит к существенному ослаблению гибридизации электронных состояний графена и кобальта и восстановлению дираковского спектра электронных состояний графена вблизи уровня Ферми. Последнее позволило изучить процесс электронного допирования графена на подложке силицида кобальта при осаждении лития на его поверхность. Обнаружено, что легирование литием приводит к значительному переносу заряда на графен. При этом концентрация электронов достигает 3.1E14 1/cm. Более того, особая форма поверхности Ферми создает благоприятные условия для усиления электрон-фононного взаимодействия, благодаря чему сформированная система может рассматриваться в качестве кандидата для получения сверхпроводимости в однослойном графене.
M3 - статья
VL - 57
SP - 1024
EP - 1030
JO - ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА
JF - ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА
SN - 0367-3294
IS - 5
ER -
ID: 5738145