Впервые представлена композитная наноструктура на основе квазиодномерных нитевидных нанокристаллов InP с нановставкой InAsP, выращенных на подложке Si(111) методом молекулярно-пучковой эпитаксии, и нульмерных коллоидных квантовых точек CdSe/ZnS. Экспериментально подтверждено наличие безызлучательного переноса энергии между составляющими гибридной наноструктуры, а именно между коллоидными квантовыми точками и нановставкой. Ключевые слова: молекулярно-пучковая эпитаксия, нитевидные нанокристаллы, коллоидные квантовые точки, безызлучательный перенос энергии.