При производстве полупроводниковых наномасштабных гетероструктур основные успехи достигнуты в изготовлении нульмерных (квантовые точки), одномерных (квантовые проволоки) и двухмерных (пленки) наноструктур. В то же время, изготовление трехмерных полупроводниковых наноструктур сопряжено с определенными технологическими трудностями. Предложенная в Институте физики полупроводников СО РАН концепция технологического решения задачи изготовления микро- и нанотрубок, свойства которых модулированы в нанометровом масштабе, основана на возможности самопроизвольного сворачивания в трубки высоконапряженных двухслойных пластин, освобождаемых при помощи травления от удерживающей подложки. В рамках механики деформируемого твердого тела предлагается модель процесса сворачивания двухслойной пластины в нанотрубку. На основе построенного решения найдена уточненная зависимость ее диаметра от параметров слоев пластины. Предлагается рассмотреть процесс отделения бислоя от подложки как процесс разрушения, инициированного ослаблением