Благодаря уникальным электронным и оптическим свойствам тройной оксид индия-галлия-цинка (IGZO) находит применение в гибкой и прозрачной электронике, в частности, в тонкопленочных транзисторах. Физические свойства IGZO зависят от условий синтеза и соотношения входящих в него основных компонентов (индия, галлия, цинка и кислорода) и различных легирующих добавок. В работе описана методика синтеза образцов линейки состава In1-2хGaSnхZn1+хO4 (при х = 0.05; 0.10; 0.15) методом горения нитратно-органического геля. Данный подход позволяет проводить синтез за меньшее время и при более низких температурах по сравнению с альтернативными методами, описанными в литературе. Исследование полученных образцов проводилось методами рентгенофазового анализа, сканирующей электронной микроскопии и энергодисперсионной спектроскопии. Была доказана гомогенность полученных образцов при x = 0.05 и 0.10.